MOS C-V测试技术
MOS C V测试技术
由于Si材料及氧化工艺的改进,Si表面空间电荷区中少子产生寿命てg～ms。即使信号频率为几周/s,少子也只能部分响应低频信号,即C-V曲线向高频过渡。要实现如此低频(≤1HZ/S)信号的测试是很难的(1/ωC容抗大,干扰大)。为此,广泛采用准静态技术以实现甚低频c-v测试。