现审稿人给出的形式为(C-Si)/(Si-C) ，好像此种形式是表示C-Si峰面积与Si-C峰面积比，或者C/...
结果表明,在100.4ev处出现的峰对应于单质si的si0,证明在n,p ‑ si/cnts/c复合材料中有si单质的存在,与xrd结果一致。 41.图13为实施例1制备的n,p ‑ si/cnts/c复合材料的n1s的高分辨xps谱图。结果表明,n原子作为掺杂剂形成三种构型:吡啶n(398.4ev)、吡咯n(400.4ev)和石墨n(402.0ev)。n的掺杂在碳...
对这个东西测试了XPS，分峰图中出现Si-O-C的峰，原本以为是PDMS的-OH与淀粉的活性-OH脱水反应 但是...
SEM/BSE表明材料为不规则块状,纳米Si粉分布相对均匀;XRD和Raman仅判断出负极材料中含有活性物质单质Si;常规XPS结果发现近一半的Si已被氧化为惰性物质SiO2;而使用XPS氩离子刻蚀方法发现负极材料中Si存在5种化学态,包括活性物质单质Si、Si2O、SiO、Si2O3及惰性物质SiO2;定量结果表明,复合材料的硅活性物质高于96.56%,且...
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si,C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降...
样品中C1.有两个峰位:位于282eV和284eV附近,分别对应C—Si键,C—C键.Si2 的XPS能谱有3 个峰:位于100eV,101eV和103eV附近,分别对应Si—si键,si—C键和si—O键.对 于01.元素,只有 一 Si键一种化合态.结合C,Si元素的分析可确定650℃时在微粒层生成了新的SiC ...
本文采用了前驱体包覆含Si化合物,然后再进行锂化的实验方法。通过STEM-HADDF, EELS, EDS, XPS等技术表征,确定了Si在无钴高镍材料表面没有形成任何杂质相/包覆层,而是通过梯度渗透的方式掺杂进入晶格。XPS和XANS结果详细分析显示Si的引...
峰值附近存在一个极小值.依据XPS测量的基本原理,Si2p的半峰宽是由X射线的单色 性、探测器的检测范围以及Si原子周围的有序度决定.在X射线的单色性与探测器的检 测范围一定的情况下,Si2p的半峰宽越窄,所对应的有序度也应该越高,因此,图2(b)中
XPS通过XPS测试了样品表面的化学组成及化学状态。由XPS全谱扫描可见，材料表面的元素组成为O、Si、C，同时Si2P的高分辨谱表明存在Si（4+），这进一步说明纳米硅颗粒被SiO2封装了。Figure5.XPSspectraofthesamples.(a)Survey;(b)O1s;(c)C1sdeconvolution,and(d)Si2pdeconvolution.04电化学性能研究 章节PART...
采用晶内形成法制成Ni_xB/ZSM-5催化剂.借助XRD,H_2-TPD,XPS等技术对Ni_xB的结构和Ni_xB/ZSM-5 的表面特性分别进行了表征;并用脉冲微反色谱技术考察了催化剂的环己烷脱... 金亚明,孟中岳 - 《催化学报》 被引量: 0发表: 1991年 ZSM-5沸石合成的晶貌控制研究:晶种作用 晶体形貌对ZSM-5 沸石两种孔道...