高温沉积可以完全避免a-SiO:H i 层在晶硅衬底上形成时,a-Si:H/c-Si 异质结面的Si 外延生长. 因此,a-SiO:H p-i层在n型单晶硅异质结太阳能电池中应用,更容易得到高效率的太阳能电池。 氢化非晶硅被认为是一种合适的异质结材料,应用在单晶硅异质结太阳能电池中;并且a-Si:H/c-Si 太阳能电池曾被报道过...
SiO2是一种化工原料,可以制备一系列物质。下列说法正确的是()Si(单晶硅)H2C Si(粗硅)Cl2SiCl CO高温高温HCI Cao Si0,CaSiO,
2英寸碳化硅(N型)规格书材质:4H碳化硅晶体直径:50.8 ± 0.2 mm厚度:350 ± 20 um表面取向:4°偏向±0.5°主参考面取向:平行于±1°主参考面长度:16 mm ±1 mm次参考面取向:顺时针与主参考面成 90˚ ± 5.0˚,Si 面朝上次参考面长度:8 mm ±1 mm微管密度:≤50个 cm^2(数据仅作参考)导电类型:...
c-si单晶硅 (共60件相关商品) 更新时间:2024年12月19日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 查看详情 ￥138.00/台 福建福州 西门子表压压力变送器7MF4033-1EA10-2PB-6单晶硅 西门子品牌 福州百洛克贸易有限公司 2年 查看详情 ￥1000.00/个 陕西西安 HC3051DP压力变送器3351单晶硅带显示压力...
Si(C≡C-C_6H_4-C≡C)_4类单晶硅结构材料性质的理论研究 基于Si的四面体结构,通过对结构单元的替换修饰,设计了C_(40)H_(16)Si_2类单晶硅结构的新材料。通过第一性原理计算研究了这类材料的电子性质、力学性质和光学性质。计... 方磊,曹泽星 - 全国量子化学会议 被引量: 0发表: 2017年 Si(C≡C-C_...
碳元素与硅元素同属第四主族,其原子最外层有四个未配对电子,可形成四根共价键。例如金刚石与单晶硅分别是碳原子和硅原子以 sp 3杂化方式与临近的四个原子成键形成的稳定结构。 原则上,碳原子和硅原子可以以任意的比例互换,组成Si xC y的一大类具有闪锌矿结构的晶体材料。理论预言表明,二维的SixCy晶体可以以蜂窝...
划拉处林提极整将把高纯度单晶硅的制备方法:划拉处林提极整将把划拉处林提极整将把SiO_2[((高温))](①C)Si(粗)[((加热))](②Cl_2((干燥)))SiC
高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料。它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。它可以按下列方法制备:( SiO _2 [(高温)](①C) Si()粗
需要注意,由于单晶硅(c-Si)是一种间接跃迁半导体,因此即使在波长小于带隙的情况下(直至约500 nm),它的消光系数也不会显著增加。最近的研究发现,通过优化设计尺寸,由c-Si制成的超构表面在可见光范围内具有足够的透射率。因此,由于与互补金属氧化物半导体(CMOS)的兼容性,使用c-Si被认为是通过集成MEMS和超构表面来...