最近在做XPS的分峰，有C,B两种元素。1：对B1s轨道分为B-O和B-C两个峰，对C1s轨道的分峰中是不...
2.是不是将最右侧结合能最小的碳峰校正到284.8; 3.是不是将最接近284.8的峰校正到284.8; 4.是不是碳校正一定要校正到284.8; 5.审稿人不认可碳校正的数据,如何argue。 XPS峰位选择还是比较重要的,一般的情况是找到污染碳,即C-C或者C-H,并且指认为284.8,但是有几个问题,即上面第二点讲的,是不是把最右侧...
XPS技术中的碳峰位置,通常是指材料表面的C1s能级的能量位置。xps碳峰位置是非常重要的参数之一,因为它可以直接反映材料的表面化学组成和化学状态。关于XPS中的碳峰位置,可以通过以下几个方面进行详细的说明。 1. 碳峰位置的来源 碳峰位置是由于光电子在材料表面被光子激发后脱离碳原子的C1s能级所引起的。C1s能级的能...
C 1s的拟合曲线如图2(b)所示,284.8eV、286.2eV和288.4eV的峰分别对应于C-C/C=C、C-N和C-O/C=O三种碳键。图2(c)展示了N 1s的XPS拟合曲线,以399.6eV和401.4eV为中心的两个峰对应于吡咯N和石墨N。由于吡咯N和Cu-Nx位点的XPS峰值存在很小的差异,因此吡咯N的宽峰可能包括Cu-Nx的贡献。在图2(d)所示...
对于C=O键,通常在XPS谱图上会出现一个对应于C 1s电子的结合能峰。这个峰的位置可能会受到分子中其他元素和键的影响,但通常位于约287-289 eV的范围内。为了准确地确定C=O键的结合能,可以使用分峰拟合的方法。 分峰拟合的过程包括以下步骤: 1.选择合适的背景:首先,选择一个合适的背景扣除方法,以消除背景信号对...
图3 Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和参照材料的结构特征。(a) Pt1.5Ni/N-C和Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的XRD图案和 (b) Ni 2p的XPS,(c) Ni K边NEXAFS光谱,(d) EXAFS光谱,(e) Pt L3边NEXAFS光谱。@RSC 脱合金处理Pt1.5Ni/N-C后的XRD图...
图4 (a)原始、(b)放电和(C)充电态Si负极的Li 1s、O 1s、Si 2p、C 1s和F 1s峰的原位XPS。(d-f)“2D Si”、(g-i)“2D复合Si”和(j-l)“2D层状Si”的组成演变化示意图。灰色矩形表示每个负极的XPS测试探测深度。 作者还...
图1.CdSe-MX复合材料与纯CdSe的(a) C 1s、(b) Cd 3d、(c) Se 3d、(d) Ti 2p高分辨率XPS谱图 由于真实反应体系在光照下进行,故进一步采用原位光照XPS用于探索CdSe和Ti3C2 MXene之间的电荷转移,结果见图2。与黑暗条件相比,Cd 3d5/2的结合能在光照条件下正向移动0.4 eV,Se 3d 峰的结合能在光照条件下...
拆机后B面与C面无法..xps13前两天静电问题无法开机,于是拆下后盖放了静电,但装回去之后,电脑的B面与C面就无法合严实了,竖起来之后一条大缝,有没有大佬知道这是怎么回事?