luminescenceperovskite phasesThe Aurivillius phases have been routinely known as excellent ferroelectrics and have rarely been deemed as materials luminescing in the near﹊nfrared region. Here we show that the Aurivillius phases can demonstrate broadband near﹊nfrared luminescence covering the ...
高迁移率二维半导体因其独特的晶体结构和电学性质,可望突破主流硅基CMOS(互补金属氧化物半导体)芯片技术在进一步微缩时面临的短沟道效应等物理限制,被认为是后摩尔时代替代硅的候选芯片材料之一。然而,制备决定未来,二维半导体材料的晶体质量是影响其器件性能的关键因素;如何实现新型二维晶体的精准合成,进一步提高大面积晶体...
——缺陷工程提升二维Bi2O2Se的超快光子学器件性能 高输出功率的飞秒激光在精密加工、生物医学和科学研究等领域具有重要的应用价值。可饱和吸收体是实现超短脉冲的关键光学元件,直接决定锁模激光器性能。传统饱和吸收体(SESAM等)作用波段窄...
同时，基于这种强自旋轨道耦合材料构建超导复合器件，预期可实现拓扑超导态。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心固态量子信息与计算实验室Q02组的博士生应江华在屈凡明特聘研究员和吕力研究员的指导下，观测到了Bi2O2Se纳米线的相干表面态，并在基于Bi2O2Se薄膜的约瑟夫森结中实现了对超流的开关控制和对...
硒氧铋 Bi2O2Se 晶体 更新时间:2024年06月28日 数智集采,工业好物狂欢趴!填写信息即可参与抽奖哦! 价格 ￥60.00 起订量 100平方毫米起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 江苏省 苏州市 市辖区 数量 获取底价 查看电话 商家接听极速,可点击洽谈 在线咨询 QQ联系 智能提问 完整的介绍下产品...
在以数据为中心的驱动下,高集成度的铁电电子元件被认为是半导体电子的前沿,可以满足新兴的功能多样化,如非易失性存储器、逻辑、人工大脑、神经形态传感器等。然而,大多数铁电体,如钙钛矿或聚偏氟乙烯,都是电子迁移率较差的宽带隙绝缘体,这对丰富的功能构成了挑战。尽管基于半导体/铁电异质结的器件概念提供了另一种选...
采用水热法将Ni2+均匀引进Bi2O2S晶体结构的[Bi2O2]2+层中,合成了Ni2+掺杂的层状结构Bi2O2S光催化剂。通过系列表征手段和理论计算,深入揭示了Ni2+对Bi2O2S结构、光化学性能等的影响。在99%的CO2以及空气气氛下,进行光催化CO2还原...
Composition of Bismuth Subcarbonate - Bi2O2(CO3) ElementSymbolAtomic Mass# of AtomsMass Percent Bismuth Bi 417.9608 g/mol 2 81.9582% Oxygen O 79.997 g/mol 5 15.6867% Carbon C 12.0107 g/mol 1 2.3552% Bismuth Subcarbonate Element Mass PercentBismuth417.961gBismuth417.961gOxygen79.997gOxygen79.997...
按照硅半导体工业的逻辑,原生氧化物的存在和合适的制造技术对于平面集成电子学中的2D半导体是必不可少的,这对典型的涂层技术是表面敏感的。到目前为止,很少有类型的集成电子学被发现具有这一特征。 有鉴于此,近日,中山大学王成新教授和孙勇副教授(共同通讯作者)团队报道了最近开发的2D Bi2O2Te的大面积合成和单晶原...
薄膜按其晶体结构,有单晶、多晶、非晶薄膜之分。单晶薄膜需要在单晶基板上通过外延(epitaxy)的方法才能做出。藉由外延生长的薄膜称为外延膜。单晶薄膜制备技术通常指分子束外延技术,用真空蒸镀法或溅射法来制作单晶薄膜较困难,所必须考虑的重要因素是恰当的基片和适宜的温度。此外,薄膜形成时的真空度和薄膜形成速率也有...