(a2SiC∶H)薄膜,对其光学特性进行了分析. 关键词:光学常数;透射谱;非晶硅碳薄膜 PACC:7865M;4230N;4210J 中图分类号:TN30412 + 4 文献标识码:A 文章编号:025324177(2005)0120034204 1 引言 氢化非晶硅碳(a2SiC∶H)合金是一种带隙可调 节、机械强度和化学稳定性好的新型功能材料.因其 ...
a-SiC:H/a-Si:H 1. THE RESEARCH OF LARGE AREA (2790cm~2)INTEGRATEDa-SiC:H/a-Si:HSTACKED SOLAR CELL; 大面积集成型a-SiC:H/a-Si:H叠层太阳电池的研制 补充资料:bioactive glass-ceramic composite reinforced by SiC whisker 分子式:
备的a 2SiC ∶H 形成 6H 2SiC 的温度 ( 1000℃). 高功率可导致 6H 2SiC 形成温度的降低与膜中硅 及石墨团簇的消失, 同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相. 通过改变 摘要 本文对射频溅射法淀积的 a 2SiC ∶H 膜热退火形成 6H 2SiC 相进行了研究. 我们采用红 氩离子轰击对射频...
本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一. Full-...
对平面电极结构样品用测量空间电荷限制电流(SCLC)的方法测 GD—a—SiC∶H 膜的隙态密度 N(E),通过测量临界电压与电极间距的关系 Vc～d 从而确认 SCLC 的存在;按隙态的指数分布由超线性 I～V 曲线确定出描述隙态的特征温度 Tt 和陷阱参量 Nt 从而测得 N(E),我们得到 N(E_F)约为2×10~(15)/Cm~3·...
The a-Si: H/a-SiC: H superlattices were fabricated by r. f. plasma CVD. The blue shift of optical bandgap and construction of the superlattices were present. The interface abruptness was determined by low-angle X-ray diffraction. The constant photocurrent method and IR measurement showed that...
本文采用重掺杂的p 型微晶硅(p +-µc-Si:H)插入层来改善BZO/p-a-SiC 之间的接触特性,重掺 杂p 型微晶硅的功函数介于BZO 和p-a-SiC 的功 函数之间,同时高电导使其与BZO 接触时形成极 薄的耗尽层,易形成隧穿电流.本文详细研究了 p +-µc-Si 的插入对非晶硅(a-Si)太阳电池的改善 效果,同时...
A visible a-SiN:H/a-SiC:H heterojunction thin film light emitting diode (TFLED) has been developed. The TFLED has a structure of glass/ITO/p a-SiC:H (2.0 eV)/i a-SiN:H (2.4–4.0 eV)/n a-SiC:H (2.0 eV)/A1. The thickness of the p-i-n layers are 150 Å, 200–1000 ...
p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-μc-Si 太阳能电池效率的理论研究 邓庆文,王晓亮,肖红领,马泽宇,张小宾,侯奇峰,李晋闽,王占国 Keywords: 太阳能电池,模拟,效率,AMPS Full-Text Cite this paper Add to My Lib Abstract: 用软件AMPS研究了一种新型结构的太阳能电池,通过研究界面复合速率,p型层厚度,本征层厚度...
本文 用~11B(p,a)~8Be(E_r=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原 子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新 提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了...