发表于IC设计入... 芯片IP组成(2)--SRAM的原理及测试 6T SRAM(六晶体管静态随机存取存储器)是SRAM的一种基本单元结构,由六个MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)组成。这种结构提供了稳定的数据存储和高速的读写能力,而不需要像DRAM… 木子陈发表于芯片那些事... 单端口SRAM与双端口SRAM电路结构 宇芯电子
簡言之,6T-SRAM 的讀或寫都要打開 word line。寫的動作是利用外部電壓源強力改變 bit-cell 的內容。(由外影響內) 讀的動作則是將外部 BL 及 BLbar 平衡然後讓 bit-cell 的內容去影響 BL 和 BLbar。(由內影響外) 因為bit-cell 的力量很小,BL 及 BLbar 的差異還要靠 sense amplifier 來放大。 在...
总结起来,6T SRAM通过控制字线和位线之间的电压以及六个MOSFET之间的开关状态实现了高速、稳定的读写操作。这种基本结构不仅能够提供可靠的存储功能,还具有良好的抗干扰性能,并且在集成电路设计中得到了广泛的应用。 3. 6T SRAM的理论说明: 3.1 存储单元设计原理: 6T SRAM(Six-Transistor Static Random Access Memo...
根据集成电路原理与设计可知,提高MOS管的宽长比可以提高管子的导电因子K,而下降过程与比例因子Kr=Kn/Kp 有关[1],通过计算与仿真确定各个管子尺寸,最终SRAM 测试电路如图2 所示。 仿真时各参数设置如下: ①相关电压设置:因为使用的是pmos3v 和nmos3v,所以设置高电平为2v, 低电平为0v, 设置vdc=2v 完成vdd,...
静态随机存储区(SRAM)6T存储单元为基础,首先介绍了6T存储单元的基本结构与工作原理,并总结了其优缺点.然后使用cadence软件中的Virtuoso@Schematic Editing对6管单元电路进行设计以实现读写的基本功能.最后在单管电路的基础上,通过外围电路的搭建与体系结构的设计,实现一款基于深亚微米CMOS工艺下的128×8位的SRAM设...
在设计Standard cell和6TSRAM的基本单元时,我们通常都要用prboundry layer或者marker layer画一个矩形,覆盖上这个单元里的所有器件,这一层的物理作用是什么?() A. 没什么物理意义,它只是在做单元拼接的时候起一个标记作用。 B. 做联接层。 C. 可以当nwell层用。
STM32F103RCT6 是 STMicroelectronics(意法半导体)公司推出的一款 32 位微控制器,具备 ARM Cortex-M3 处理核心,主频高达 72 MHz,拥有 512KB 的闪存和 64KB 的 SRAM,支持多种外设接口,如 GPIO、USART、I2C、SPI、CAN、PWM 等,且支持中断和 DMA 等功能。由于其高性能、低功耗、丰富的外设接口以及高性价比,广泛...
SRAM:36KB 工作电压:1.7V至3.6V 工作温度范围:-40°C至+85°C 封装形式:LQFP64(64引脚),占用面积小,便于集成在紧凑的设计中。 时钟系统:内部16 MHz振荡器(HSI16),支持外部高精度晶振(HSE)和低功耗振荡器(LSI)。 电源管理:支持多种低功耗模式,包括停机模式(Stop)和待机模式(Standby),最低功耗仅为1.3 µ...
FSMC:存储器扩展接口(如 NOR Flash、SRAM)。 二、重要注意事项 复用功能优先级:同一引脚可能复用多个外设,需通过AFIO 寄存器配置。 电源隔离:模拟部分(如 ADC)建议独立供电(VSSA/VREF+)。 未用引脚处理:建议配置为输入模式并启用内部上拉/下拉。 三、资源下载建议 ...