首先,在化学机理上,两种显影液中显影剂和还原剂的作用不同。正胶显影液的显影剂将感光颗粒中的银盐还原为黑色银粒,而负胶显影液的显影剂则是将银盐转化为透明的亚银盐还原物。显影剂的作用决定了显影液的类型,也决定了它在胶片上产生的效果。 其次,在使用方法上,正胶显...
曝光原理:DQ体系利用的是Wolff重排反应,其中DQ中的α-重氮醌在光照下放出氮气和醌自由基,再发生1,2-重排反应生成醌酮,然后在水的作用下,酮基进一步转化为羧基,可以与碱性显影液发生酸碱反应,加速溶解。最终,曝光的区域显影速度快,实现正胶图形化。 负胶 负胶成分:负胶主要由聚合物单...
不同种类的光刻胶对显影时间有不同的要求,一般来说,对于正胶,显影时间应该短,而负胶则需要较长的显影时间。 2.显影液浓度 显影液的浓度对显影时间影响极大。浓度过高,会导致显影时间过短,反之过长,都会降低显影效果。 3.温度 温度对显影时间的影响也非常显著...
1. 正胶 正胶,也叫做显影胶,是指光敏材料暴露在紫外线下后,光刻胶的暴露区域变得更为溶解性,暴露区域被显影液溶解,从而形成光刻图形的胶层。正胶具有高解析度、精度高等特点,广泛应用于微电子工艺和半导体制造。 2. 负胶 负胶是一种在紫外光下形成的化学反应变化的光刻胶。负胶...
光刻是在光刻胶上经过曝光和显影的工序,把掩模版上的图形转换到光刻胶下面的薄膜层或硅晶上。光刻主要包含了匀胶、烘烤、光罩对准、曝光和显影等工序。由于光学上的需要,这段工序的照明采用偏黄色的可见光,因此俗称此区域为黄光区。 (3)干法刻蚀 在半导体工艺中,刻蚀被用来将某种材质自晶圆表面上除去。干法刻蚀是...
更多“不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:1.刻蚀2.前烘3…”相关的问题 第1题 显影时,正胶和负胶的哪个区发生溶解?而哪个区则不会溶解。 点击查看答案 第2题 球拍胶皮颗粒朝上(外面)是()。 A、正胶 B、反胶 C、平胶 点击查看答案 第3题 球拍的种类可分为正胶海绵拍,正胶胶皮拍和() A....
一,半导体负胶的工作原理和应用场景 在半导体生产中,半导体负胶是不可或缺的一个重要环节.半导体负胶是指把一层薄膜覆盖在半导体片上,然后用紫外线等辐射对其进行曝光和显影,最后得到一层微米级别的图案.这个图案就是用来制造电子元件和集成电路的基础. 半导体负胶主要分为...
A.正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶B.正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解C.负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低D.正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解E.负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低相关...
不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5.涂胶 6. 曝光 7. 坚膜. 以下选项排列正确的是( )A.5263714