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4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗(PD)为104W。4N60的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为600V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其...
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