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20n50场效应管参数 20N50是一种场效应晶体管(FET),其型号为20n50。以下是该晶体管的一些参数: - 工作电压:20n50晶体管的最小工作电压为0.8V,可以在1.2V到3.3V之间调整。 - 典型功耗:20n50晶体管的典型功耗为1mW,可以在5mW到50mW之间调整。 - 放大倍数:20n50晶体管的放大倍数在0.2V到1.2V之间,通常在0.6V...
当我们谈及20N50场效应管时,我们首先需要了解它的几个核心参数。这些参数不仅决定了场效应管的工作性能,还直接关系到其在电路中的应用范围。 1. 漏源电压(VDSS):这是指场效应管在阻断状态下,漏极和源极之间可以承受的最大电压。20N50的VDSS通常为500V,意味着它能在最高达500V的电压下正常工作而不会...
20n50场效应管参数,代换KNX7150A规格书 型号:KNX7150A 工作方式:20A/ 500V 漏源电压:500V 门源电压:±30V 连续漏电流:20V 单脉冲雪崩能量:1500MJ 峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns 操作和储存温度范围:-55℃至150℃ 漏源击穿电压:500V 输入电容:2650pF ...
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MOS场效应管是一种在电子领域中广泛应用的电子元器件,特别是在开关电源方面的应用非常广泛。型号20N50是一种低电流、高压的MOS场效应管,其主要的特点是内阻低、开关速度快、耐冲击特性好等。在电路设计中,合理选择MOS场...
AP20N50MP APM永源微 授权代理500V 20A MOS管 N管 20N50 深圳市长禾电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市宝安区 ¥0.19 SVF20N50F 增强型高压功率MOS场效应晶体管 集成电路 库存供应 深圳市融意电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...