正如Ang-Sheng Chou 的团队所解释的那样,大多数提议的接触都有一个不幸的空穴传导能带排列。他们的工作利用了 WSe2的双极性特性,将单一的锑/铂堆栈用于 nFET 和 pFET 器件。锑(Sb,功函数 4.4 eV)提供缓冲层,最大限度地减少对底层半导体的损坏。铂(Pt,功函数 5.6 eV)调节功函数。两种材料的比例可调,以实现 n...
7.7 MOSFET的击穿特性 264 7.8 MOSFET的温度特性 269 7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应 271 7.9.1 阈值电压的变化 271 7.9.2 漏极特性和跨导的变化 273 7.9.3 弱反型区亚阈值漏极电流的变化 275 7.9.4 长沟道器件的最小沟道长度限制 276 7.9.5 短沟道高性能器件结构举例...
2.2I/V特性 阈值电压I-V关系式跨导 2.3二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 2.4器件模型 版图、电容、小信号模型等 1 2.1基本概念-MOSFET开关 NMOS管三端器件，栅(G)、源(S)、漏(D)。通常作为开关使用，VG高电平，MOS管导通，D、S连接。回答以下几...
MOSFET结构、IV特性、二级效应、器件模型 共源、共漏、共栅、共源共栅 定性分析、定量分析、共模响应、吉尔伯特单元 基本/共源共栅/有源电流镜弥勒效应、极点与节点关系、各类单级放大器频率特性分析统计特性、类型、电路表示、各类单级放大器噪声分析、噪声带宽特性、四种反馈结构、负载影响、对噪声的影响 性能参数、一...
6.3 负反馈放大器的特性 125 6.3.1 提高放大器增益的稳定性 125 6.3.2 对系统的输入与输出电阻的 影响 125 6.3.3 带宽调节 128 6.3.4 减少非线性失真 130 6.3.5 负载的影响 130 6.4 反馈网络的噪声效应 136 6.5 系统的稳定性 137 6.5.1 单极点系统 137 6.5.2 多极点系统 138 第...
2.13.MOSFET 的传输频率 定义为当源极和漏极保持交流接地状态时,器件的小信号电流增益降至 1 的频率。 2.14.计算 MOS 器件在亚阈值区的 ,并将结果与问题 2.13 中的结果进行比较。 2.15.对于 W = 50 μm 和 L = 0.5 μm 的饱和 NMOS 器件,计算所有电容。假设 S/D 区域的最小(横向)尺寸为 1.5 μm...
漏致源端势垒降低效应:漏源穿通的根源是源端附近的势垒降低漏源距离太近漏极电压会影响源端的势垒导致扩散电流增大亚阈值电流对这个效应十分敏感 当氧化层厚度缩小到大约2nm之后隧穿效应以及缺陷等问题都很严重因此需要高k介质在厚度不变的情况下提高等效电容 ...
《集成电路设计(第2版)》习题答案1-5章
(A) 亚阈值特性我们的目的是通过 MOSFE T 的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。对于长沟道器件而言, 亚阈值电流由下式给出 ID?WL?nCdVt?exp ?2?VGS?VT???VDS?1?exp???...()?Vt??Vt? 也可以写成如下的形式 1 ID?WL?nCdVt?exp ?2?VGS?VT???VDS?1?exp???Vt??Vt? ?ID0?VG...