隐埋扩散区6) buried-channel 隐埋沟道 1. The I-V characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an average mobility model is presented. 提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。 2. The effects of several factors on mobility in 4H-SiC burie...
集电区渡越时间1. The formulation of the voltage-dependent collector transit time has been established. 针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程。
选择离子注入集电区2) selectively implanted collector 选择离子注入集电区技术 1. In order to imporve the current gain of very high-speed bipolar transistor and decrease the influence of Kirk effect at high emitter injection, we incorporate selectively implanted collector (SIC) in a double ...
主盘控制区集电电源 青云英语翻译 请在下面的文本框内输入文字,然后点击开始翻译按钮进行翻译,如果您看不到结果,请重新翻译! 翻译结果1翻译结果2翻译结果3翻译结果4翻译结果5 翻译结果1复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 Electric power supply of the main panel control set...
集电区扩散隔离3) Diffused Resistor 扩散电阻 1. A Method of Consistence Improvement for Diffused Resistors in Silicon Sensors; 提高扩散硅压力传感器扩散电阻一致性的有效方法 2. Diffused resistor model under ESD stress in linear,saturation,multiplication and snapback,and secondary breakdown regions was...
请注意如所述一段题知道可以和贝叶斯模型选择,DCM 的功能磁共振成像 (但不是在电生理数据 DCMs) 房舍管理中不能用来决定是否包含或排除,因为模型的证据是 defined 的 specific 数据集和更改区域更改数据区域不能。 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 ...
不错，又占了一个沙发！
MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样...
在区域产业竞争力的崛起,促进区域产业集群的形成。 翻译结果2复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 正在翻译,请等待... 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 在区域产业竞争中的崛起的电源和促进区域产业集群的形成。在 1980 年的 20 世纪的供应链定义操作的一家企业提出的物流需要延伸到系列相关的企业,核心企业大...
前40名 前50名 0 0 0 0 0 百度 360 神马 搜狗 谷歌 收录 977 100 - - - 反链 - - - - - 最近访问 www.hbjlqz.comm.babaizhao.comwww.pyrosimchina.com8hkj.cn17house.comm.ahzlkj.cnwww.lzbaa.comm.chezhizhi.com92renxing.cnm.huashanghgsb.comm.liaochengsports.comwww.sojiang.comm.yixinyo...