Vov）Vov=Vgs-Vth的平方成正比：i_D=\mu_{FE} \frac{W}{2L}C_{ox}(V_{GS}-V_{TH})^2 那书里管这一套叫平方律模型（Square-Law Model, SLM）。把这个Id开个根号，那这线在饱和区应基本是条直线，其斜率就应该是μFEW2LCox，其和Vgs轴的截距就应该是Vth。理想情况下应该是这样的，
理论上,功率MOSFET管内部P阱区上表面薄层区域自由电子的浓度等于空穴的浓度时,VGS=VGS(th),达到反型层形成的临界条件,器件要开始导通,此时,漏极电流仍然为0。但是,从明确的物理学定义,VGS从0开始增加、增加到功率MOSFET管内部P阱区上表面薄层区域自由电子的浓度等于空穴的浓度,漏极电流ID一直为0,这样,无法确定,P...
IRFH5053PbF10VGS ( th)时,栅极阈值电压( V)4.58ID ,漏电流( A)4,IRFH5053PBF PDF技术资料1第5页,IRFH5053PBFPDF资料信息,采购IRFH5053PBF,就上51电子网。
IRF8714PbF1412ID ,漏电流( A)2.5VGS ( th)时,栅极阈值电压( V)1,IRF8714TRPBF PDF技术资料1第5页,IRF8714TRPBFPDF资料信息,采购IRF8714TRPBF,就上51电子网。
场效应管(MOSFET)/功率(Pd):3.7W 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V 135μA 导通电阻NTMFS5C628NLT1G 12000 onsemi(安森美) DFN5 21+ ￥5.0000元>=1 个 南方富昌(深圳)电子科技有限公司 2年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 AOS 场效应管 AOD482 MOSFET N-CH 100V 32A TO252 ...
有的叫Vth，也有叫Vt(gs)的，国标上叫Vgs(th)，国标这里是沿用IEC标准的，所以标准叫法是Vgs(th)。
。研究过程中发现对这个电压的来龙去脉不是很清楚，所以有了此问题看datasheet呗，我印象中都是以Id...
IRLB4030PbF2.5VGS ( th)时,栅极阈值电压( V)4035IF = 73AV R,IRLB4030PBF PDF技术资料1第6页,IRLB4030PBFPDF资料信息,采购IRLB4030PBF,就上51电子网。
电气特性图14.归栅极阈值电压与温度VGS ( TH)(范)1.10AM05459v1STB/F/I,STW32N65M5 PDF技术资料1第8页,STW32N65M5PDF资料信息,采购STW32N65M5,就上51电子网。