5、为了解决上述问题,本发明提供了一种闩锁效应的测试方法,包括如下步骤:提供一测试结构,所述测试结构包括mos晶体管以及反型区宽度测试单元,所述mos晶体管的源区和漏区具有第一导电类型,所述介质隔离区宽度测试单元包括多个介质隔离区;选取第一位置的第二导电类型的反型区,同mos晶体管的源区或漏区电学并联;以及选...
[0003] 现有的测试闩锁效应的方法主要是委外第三方检测机构利用MK2机台进行测试。 具体过程为:准备好足够数量的样品,进行闩锁测试前的电性能测试及IV测试,这个过程需 要1天时间;然后准备针对此产品的闩锁测试方案发给第三方检测机构,之后将样品寄出到 第三方检测机构,第三方检测机构收到样品需要1天时间;第三方检测...
(54)发明名称 CMOS 电路的闩锁效应测试方法 (57)摘要 一种 CMOS 电路的闩锁效应测试方法,可 用于测试 CMOS 集成电路的触发电压/电流、维持 电压/电流的准确数值和二次击穿电压/电流抗闩 锁能力参数,测试时首先将待测器件所有的输入 端连接到地,输出端悬空,再按如下步骤进行: 首先,对待测端进行直流电压扫描测试...
摘要 本发明提出的芯片闩锁效应的测试方法,用来测试芯片针对不同的高频振荡毛刺信号是否会触发闩锁效应。测试时,每次需要选择一次毛刺脉冲波的最大尖峰电压值、最大脉冲宽度Twidth、毛刺密集度这三个参数作为一个测试点,一个测试点进行一次触发闩锁效应测试,不同的最大尖峰电压值、最大脉冲宽度Twidth、毛刺密集度作为不...
一种用于检测芯片闩锁效应的测试系统及其方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种用于检测芯片闩锁效应的测试系统及其方法说明:本发明提供了一种用于检测芯片闩锁效应的测试系统及其方法,所述测试系统包括稳压电源、PCB板、待...专利查询请上爱企查
图像传感器单粒子闩锁效应测试方法 (57)摘要 本发明提供了一种用于 CMOS 图像传感器 单粒子闩锁效应测试方法,该方法是由被测 CMOS 图像传感器、CMOS 图像传感器测试板、FPGA、PC 机、电流电压监测板和电源的测试系统组成,所 述方法能够实现评估 CMOS 图像传感器不同电路模 块的单粒子敏感性,从电路层面分析发生闩锁的...
摘要 本发明提供了一种CMOS芯片的闩锁效应测试方法和系统,应用于具有电源管脚、接地管脚、输入管脚、输出管脚及悬空焊垫的芯片,该方法可以包括:将待测芯片的电源管脚和输入管脚上电;所述输入管脚包括:时钟管脚、重启管脚、测试模式管脚,及其他处于输入状态的I/O管脚;确定待测芯片的被测管脚;通过重启管脚,将待测芯片...
(54)发明名称一种微处理器单粒子闩锁效应的测试方法及测试系统(57)摘要一种微处理器单粒子闩锁效应的测试方法及测试系统,该方法包括:S1:为被测微处理器供电并监控供电电流和运行状态,用高能粒子辐照并统计总注量Q;S2:若Q达预定值转S7,否转S3;S3:若电流超过指定值转S5,否转S4;S4:若发现运行状态异常转S5,否...
本发明实施例提供的集成电路设计方法和集成电路闩锁效应测试方法,为集成电路设置了闩锁效应测试模式的控制端,利用该控制端控制集成电路的端口在闩锁效应测试模式中的状态,增加了电路内部信号的可控制性,可以更好的满足Latch up测试的需求,有利于客观准确地评价电路的抗闩锁效应能力,保证器件的质量。