单晶锗抛光用的常见抛光粉主要有三种,分别是氧化铈(CeO2)、氧化铝(Al2O3)和氧化钆(Gd2O3)。其中,氧化铈是最常用的一种抛光粉,因为它具有较高的抛光效率、抛光速度快、抛光表面光洁度好的特点。氧化铝和氧化钆的抛光效率也较高,但抛光速度相对较慢,表面粗糙度略高一些。 产品参数 牌号 包装规格...
高纯单晶锗(Ge) 规格:单晶,面,5-40欧,p型,10mm×1mm 透过波长:2000—20000nm 所有窗口片/基片/镀膜片做到光学级抛光,接受尺寸定制。方片较圆片加工难度大增,价格相应较贵,请亲们理解。 抛光参数大致如下: 尺寸公差:+0/-0.1 厚度公差:±0.1 表面粗糙度:～nm量级,有特殊要求(如亚纳米级),请联系。 平行度...
'我们厂生产加工单晶锗抛光晶片直径 200mm生长方式 LEC/VFG类型/摻杂 N(sb/As)/P(Ga/In)/undopant厚度:500um 可定制阻值 0.01 - 0.1 ohm-cm,0.1 - 0.01ohm-cm, 1- 30ohm-cm,>30ohm-cm迁徙率 ≥ 3000 cm 2 / V·sec晶向 <100> <111> <110>表面 抛光背面 抛光/腐蚀表面粗糙度 < 0...
专利名称 锗酸铋(BGO)单晶的表面抛光剂 申请号 86100517 申请日期 1986-03-05 公布/公告号 CN86100517 公布/公告日期 1988-03-02 发明人 徐润元 专利申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 专利代理人 聂淑仪;潘振苏 专利代理机构 中国科学院上海专利事务所 专利类型 发明专利 主分类号 C09G1/02;C09G1/00;C0...
本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法,其特征在于包括以下步骤(1)SPM清洗用浓度95%~98%浓硫酸和浓度30%~32%过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液;(2) SOM清洗将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95%~98%浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中;(3)APM清洗将步骤(2)...
摘要 超薄锗单晶抛光片的清洗方法,涉及锗单晶抛光片的清洗技术,特别涉及一种超薄、表面洁净度及粗糙度要求高的清洗方法。本发明超薄锗单晶抛光片使用背面粘贴UV膜进行抛光,揭膜后放置于碱液中浸泡,用高纯水枪冲洗,把晶片放入甩干机甩干,再单片浸入显影液清洗,最后用ETCH药液清洗,有效去除超薄锗单晶抛光片表面磨料颗粒沾...
摘要 本发明公开了一种超薄锗单晶抛光片的清洗方法,包括:1)用高纯水冲洗干净、甩干,揭去背面的UV膜,按照抛光面朝卡塞U头方向,插入卡塞的插槽中;2)浸入3%‑40%的碱液中浸泡2‑5分钟,再用去离子水冲洗3‑5分钟,然后置于甩干机甩干;3)浸入四甲基氢氧化氨水溶液中泡洗30‑120秒,然后纯水冲洗30‑90S;4...
单晶锗回收 废光伏硅片抛光片 多晶太阳能硅片 免费上门 楷恒 在线交易 24小时发货 少货必赔 破损包赔 苏州楷恒金属材料有限公司 查看详情 ￥8000.00/吨 江苏苏州 单晶锗回收 废光伏硅片抛光片 多晶太阳能硅片 当面交易 楷恒 在线交易 24小时发货 少货必赔 破损包赔 苏州楷恒金属材料有限公司 “...
本发明提供一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺,锗单晶单面抛光片采用背面贴UV膜粗抛,后揭掉晶片背面的UV膜,然后两次浸泡浓硫酸去除锗单晶单面抛光片边缘的残胶沾污,再进行精抛,精抛后采用氢氧化钾溶液清洗,最后采用SC1液清洗的方式,有效的去除了锗单晶单面抛光片的表面沾污,达到了免清洗开盒即用的表面要求,极大提高...