对于锗二极管而言,死区电压通常在0.1V左右。这意味着当施加的正向偏压超过这个值时,二极管将开始允许电流通过。了解死区电压对于正确设计和使用二极管电路至关重要,因为它决定了电路何时从截止状态过渡到导通状态。 三、锗二极管的应用优势 由于锗二极管的导通电压和死区电压相对...
百度试题 题目硅二极管和锗二极管的死区电压和导通电压分另是多少?相关知识点: 试题来源: 解析 硅管的死区电压为 0.5V ,导通电压为 0.7V ,锗管的死区电压为 0.1V ,导通电压为 0.3V 反馈 收藏
导通电压是指加到锗二极管上的正向电压超过死区电压后,使其具有导电能力的电压。 在导通区,锗二极管具有低电阻的特性,可以作为电子信号的放大器和电路中的开关使用。其导通电压是由于电子与空穴被加正向电压推动而克服pn结势垒,电子与空穴结合产生电流而引起的。 三、锗二极管在电路中的应用 ...
当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.3）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压 硅二极管的死区...
1、硅二极管的死区电压为()V,锗二极管的为()V;导通管压降,硅管为()V,锗管为()V。2、按二极管所用的材料不同可分为()二极管和()二极管两类。1、硅二极管的死区
三极管的三个工作区域分别是___、___和___。答:从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管的死区电压为0.5V, 锗管的死区电压为0.2V; 硅管的导通管压降为0.7 V,锗管的导通管压降为0.3 V。3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的...
锗材料二极管导通时其两端电压为伏硅材料二极管导通时其两端电压为伏反向击穿区管降大说明分压的电阻大所以是大是的理想二极管反向电阻无穷大是的实际的二极管反向电阻有限所以电压过大击穿后电流迅速上升是的三极管有三种工作状态是放大截止和饱和场效应管才是电压控制元件
硅管的死区电压为0.5V,锗管约为0.1V。 3、当二极管正向导通后,二极管两端的压降近似为一常数,硅管约为0.6~0.7V。锗管约为0.2~0.3V。 4、给二极管加反向电压时,在反向电压作用下,反向电流很小。因为反向电流由少数载流子的漂移产生,所以反向电流随温度的上升增长很快,在反向电压不超过某一范围时,反向电流基本...
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为___V和___V,通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为___V和___V。 相关知识点: 试题来源: 解析 0.5、0.2、0.7、0.3。 0.5、0.2、0.7、0.3。【单选题】1936年,苏联正式向世界宣告 反馈 收藏 ...
【简答题】一般硅二极管的开启电压约为 V ,锗二极管的开启电压约为 V。 查看完整题目与答案 【单选题】型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。 A. 1V B. 0.2V C. 0.6V 查看完整题目与答案 【单选题】硅二极管的死区电压通常约为( )。 A. 0.1V B. 0.5V C. 0.7V ...