新一代消費者、電腦和通訊產品設計,都需要運用 MOSFET,讓設計人員得以最佳化他們的終端產品應用。我們廣泛的 MOSFET 產品組合包括 N 通道和 P 通道,範圍從 -450V 到 800V,並封裝於單一、雙重、互補和 H 橋 (四通道) 配置中。 相關連結 MOSFETs Brochure ...
三五族鍺金屬氧化物半導體場效電晶體T型閘極 III-V materialsgermanideMOSFETT-gateIII-V materials, comparing with Si, can provide significantly higher electron mobility and higher drift velocity under low voltage operation. Consequently, III-V materials are very promising to replace currently used Si ...
晶向金屬氧化物半導體 Orientation DependentQWMOSFETAccording to the ITRS, the scaling of traditional Si semiconductor is near the end, and III-V materials are considered as the best candidate to continue the semiconductor development. Due to their excellent carrier transport, and their special bandgap ...
樊君偉中興大學中興大學物理學系所學位論文樊君偉 "應變矽鍺合金通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體的次能帶結構和傳輸特性" 博士論文 :樊君偉, "應變矽鍺合金通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體的次能帶結構和傳輸特性", 國立中 興大學物理研究所博士論文, 2012...
根據實驗量測分析結果顯示,藉由超音波霧化熱裂解沉積三氧化二鋁/二氧化鈦堆疊式閘極氧化層結構與氧化鋁鈦閘極氧化層結構之氮化鎵/氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構場效電晶體,成功地改善元件之直流特性與微波功率特性.江伯鈞逢甲大學逢甲大學電子工程學系學位論文
藉由臭氧水氧化處理技術研製具有氧化鋁介電層之氮化鋁鎵/氮化鎵增強型金屬-氧化物-半導體異質場效電晶體doi:10.6341/fcu.M0206212臭氧水氧化處理金屬-氧化層-半導體結構增強型In this thesis, AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) by using ozone water treatment ...