【研究背景】固态电池由于其更高的能量密度和安全性,被认为是能够取代传统锂离子电池的潜在对象。然而,由于与电极间存在不良接触, 陶瓷基固态电解质(CSSEs)的使用会导致较大的界面电阻。为了解决这一问题,通…
综上所述,构建Sn(Ⅱ)/Sn(Ⅳ)梯度界面,可有效提高材料电子电导率、提高离子迁移速率,降低电荷转移能垒,使其在Li/Na/K半电池和全电池中表现出较好的倍率性能和循环稳定性。在LIBs和SIBs中具有790和373 mAh g-1的可逆容量,在LICs(106.4 Wh kg-1@250 W kg-1,33.3 Wh kg-1@10000 W kg-1)和SICs(132.6 ...
取代基对有机铬化合物分子内氢转移反应势垒的影响 维普资讯 http://www.cqvip.com
老师您好，第一次接触势能面扫描，想问一下，像这种按键长扫描后的势能曲线，质子转移势垒和逆转移势垒...
由于金属与二维半导体接触界面复杂的电荷转移,界面处经常会产生强烈的费米钉扎效应。 近日,西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2(拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制...
如何判断某个新技术是真正的,还是假的范式转移?一个可以考虑的标准,可能是终端用户的绝对数目,和增长速度。如果一个你原来不看好不理解的产品,出乎你的意料,迅速获得了超越一百万的付费用户(或者十亿美元以上的营收),并且还在迅速增长,那么就应当考虑花点时间去研
一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管 发明人: 王泽恒;姚远哲 申请人: 电子科技大学 申请日期: 2020-09-21 申请公布日期: 2020-11-24 代理机构: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 孙一峰 地址: 611731四川省成都市高新西区西源大道2006号 摘要: 本发明属于半导体技术领域,具体是涉及一种具有高...
本发明属于半导体技术领域,具体是涉及一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管.本发明的结构,主要是在传统结构中,提出了低功函数阳极金属与等效固定负电荷的区域形成的高场转移结构.本发明的结构使二极管具有低开启电压,良好正向导通性能和高耐压性能,器件能正向快速导通且具有良好的电流传输性能.在器件处于反向高压...
由于金属与二维半导体接触界面复杂的电荷转移,界面处经常会产生强烈的费米钉扎效应。 近日,西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2(拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制...
由于金属与二维半导体接触界面复杂的电荷转移,界面处经常会产生强烈的费米钉扎效应。 近日,西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2(拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制...