多余的电子束缚在正电中心, 但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚, 成为在晶 格中导电的自由电子,而 As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的 电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心,称为施主杂质或 N型杂质, 掺有施主杂质的半导体叫 N型半导体。反馈...
施主杂质电离后,导电电子增多,增强了半导体的导电能力,称主要依靠电子导电的半导体为n型半导体。 电离过程如下图所示:反馈 收藏
P型半导体:杂质周期表第Ⅲ族种元素──受主杂质例硼或铟价电带都三电并且传导带能级低于第Ⅳ族元素传导电能级电能够更容易由锗或硅价电带跃迁硼或铟传导带程由于失电产离于其电言空位所通叫做空穴种材料称P型半导体材料传导主要由带电空穴引起种情况电少数载流N型半导体:掺入杂质周期表第V族某种元素──施主...
问答题 【简答题】以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 答案:As有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子所在处也多余一个正电荷,称... 点击查看完整答案手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】实际半导体与理想半导体间...
B.施主杂质电离后,电离中心带正电 C.施主杂质是一种间隙式杂质 D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体 点击查看答案 第5题 当半导体硅中掺有施主杂质时,主要靠 () 导电,这种半导体称为N型半导体。 点击查看答案 第6题 2、以下半于杂质半导体,说法不正确的是 A.N型半导体中多子是电子,少子是空穴 B.P型...
剩余的电子约束在正电中心,但这类约束很弱,很小的能量即可使电子挣脱约束,成为在晶 格中导电的自由电子,而As原子形成一个不可以挪动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的 电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质, 掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。反馈...
这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质,掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。反馈 收藏
这个过程叫做施主杂质的电离过程。所以,一个As原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子。这种能够施放电子而在半导体导带中产生电子并形成正电中心的杂质,称为施主杂质或N型杂质,掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。反馈 收藏
以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。答:As有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子
这个过程叫做施主杂质的电离过程。所以,一个As原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余...