GB00表面化学分析全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染-编制说明.pdfGB00表面化学分析全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染.pdf
本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。本文件适用于以下情形: ———原子序数从16(S)到92(U)的元素; ———原子表面密度介于1×1010a/cm2~1×1014a/cm2之间的污染元素;tomstoms ———采用VPD(气相分解)样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108a/cm2~5...
analysis — Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy (表面化学分析 全反射X 射线荧光光谱 法(TXRF )测定硅片表面元素污染)》的翻译,并形成本标准工作组讨论稿(表 面化学分析 全反射X 射线荧光光谱法(TXRF )测定硅片表面元素...
本文件等同采用 : 《表面化学分析 全反射 射线荧光光谱法( )测定硅片表 ISO147062014 X TXRF 面元素污染》。 与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下: ——— / — : ( : 洁净室及相关受控环境 第 部分 空气洁净度等级 GBT25915.1 2010 1 ISO14644-1 , ) 1999IDT 。 。 请注意...
本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和/或镍的化学收集方法(气相分解法或直接酸性液滴分解法)和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定。本标准适用于原子表面密度介于6×109atoms/cm2~5×1011atoms/cm2范围的铁和/或镍。 购买 正式版 专题 GB/T 30701-2014相似标准 ...
GBT1.1 2009 本标准使用翻译法等同采用 : 《表面化学分析 硅片工作标准样品表面元素的化学 ISO173312004 ( ) 》。 收集方法和全反射 射线荧光光谱法 TXRF测定 X : / : , 本标准纳入了ISO173312004Amd.12010的修正内容 这些修正内容涉及的条款已通过在其外 侧页边空白位置的垂直双线( )进行了标示。 ‖ 国家...
表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染doi:20192091-T-469全国微束分析标准化技术委员会王海张艾蕊王梅玲任丹华徐昕荣范燕
表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射X射线荧光光谱法(T X R F)测定 S u r f a c e c h e m i c a l a n a l y s i s C h e m i c a lm e t h o d s f o r t h e c o l l e c t i o no f e l e m e n t s f r o mt h e s...
本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和/或镍的化学收集方法(气相分解法或直接酸性液滴分解法)和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定。 注:可采用石墨炉原子吸收光谱法或电感耦合等离子体质谱法代替全反射X 射线荧光光谱法来测定所收集的元素。 本标准适用于原子表面密度介于6×109atoms/cm2~5×1011atoms/cm2 范围...
本标准规定了硅片工作标准样品表面铁、镍元素的化学收集方法(气相分解法或直接酸滴分解法)和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)。本标准适用于原子表面密度在6×10<上标9>原子\/cm<上标2>~5×10<上标11>原子\/cm<上标2>范围内的铁和/或镍。 发布时间:2014-06-09 实施时间:2014-12-01 ...