莫特肖特基异质结(Mott-Schottky heterojunction)是由Mott绝缘体和肖特基势垒组成的异质结构。其中,Mott绝缘体通常是一种n型半导体,而肖特基势垒是一种p型半导体。在莫特肖特基异质结中,电子从n型半导体通过肖特基势垒到p型半导体,形成电流。这种异质结结构在半导体器件,如太阳能电池、光电子器件等领域具有广泛的应用。 在...
由于催化剂的费米能级不同,构筑莫特-肖特基(Mott-Schottky)势垒允许电子跃迁。本文构建了Pt@NiFc-MOF(金属-有机框架)Mott-Schottky结,在该异质结中,电子在界面处形成的内置电场触发下从NiFc-MOF转移到Pt。制备的Pt@NiFc-MOF在安培级电流...
莫特肖特基曲线(Mott-Schottky曲线)是电化学中用于分析半导体/电解质界面的工具,可得到平带电位,进而求得价带或导带数值。莫特
上次我们介绍了莫特-肖特基Mott-Schottky(M-S)是可以得到平带电位,进而求得价带或者导带数值,进而参考固体紫外计算出的带隙算出导带和价带。今天我们继续学习莫特-肖特基Mott-Schottky(M-S曲线)的数据处理。 测试莫特-肖特基的数据在电化学工作站选择阻抗-电位谱 Impedance-Potential(电化学工作站使用:科斯特公司)。 一...
高度分散的W2C量子点和氮掺杂石墨烯紧密接触,形成莫特-肖特基(Mott-Schottky)异质结,在其界面处存在一个由W2C指向氮掺杂石墨烯的内置电场,增强了W2C的吸附催化能力,降低LiPS还原的能量垒并促进Li2S沉积和分解。 Figure 3.Characterization ...
高度分散的W2C量子点和氮掺杂石墨烯紧密接触,形成莫特-肖特基(Mott-Schottky)异质结,在其界面处存在一个由W2C指向氮掺杂石墨烯的内置电场,增强了W2C的吸附催化能力,降低LiPS还原的能量垒并促进Li2S沉积和分解。 Figure 3.Characterization of the W2C QD/NGM....
i)构建了新型肖特基异质结电催化剂Co2P/Co4N。 ii)Co2P/Co4N在碱性、中性和酸性介质中均表现出优异的电催化性能。 iii)通过第一性原理计算阐明了肖特基异质结改变了催化剂内部的电子结构。 研究内容 图1. 具有金属性的Co4N和半导体Co2P接触前、后(Mott-Schottky异质结)的能带图,其中EF、Evac、Ev和Ec分别代表...
这项工作对MXene@WS2异质结的结构和热力学及其在高性能锂硫电池中的应用前景提供了更深入的见解,为莫特-肖特基异质结的合理设计及应用提供了新灵感。 论文信息 Mott-Schottky MXene@WS2Heterostructure: Structural and Thermodynamic Insights and Application in Ultra Stable Lithium−Sulfur Batteries...
画散点图,可以看到有两个斜率为正的切线,说明存在两种n型半导体,还是一样,以其中一个为例计算平带电位(斜率为负则为p型,正负都有为pn异质结)。 按照上次的推文,根据这个可以求出导带。 切线做法我们之前也讲过了,简单一点可以直接拉一条直线,然后选择与y=0的交点即为平带电位。
还有一种办法是用电化学的办法测试(莫特-肖特基Mott-Schottky),如果M-S曲线切线斜率为正值,则代表样品为n型半导体,则用莫特肖特基计算出的平带电位Efb大概位于导带Ecb以下(就是比它大)0.1-0.3eV,根据固体紫外算出的带隙,则可以算出对应的价带Evb数值。