英特尔表示，其将继续推进摩尔定律的研究进展，包括背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并在同一块300毫米晶圆上（而非封装）中实现硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。随着遵循摩尔定律的半导体技术不断推进，半导体芯片的...
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈 ·随着背面供电技术的完善和新型2D通道材料的采用,英特尔正致力于继续推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。 ·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。 12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IE...
【英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈】 据澎湃新闻,12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。英特尔表示,其将继续推进摩尔定律的研究进展,包括背面供电和...
英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。英特尔表示,其将继续推进摩尔定律的研究进展,包括背面供电和直接背面触点(direct backside contacts)的3D堆叠CMOS晶体管,背面供电研发突破的扩展路径(如背面触点),并在同一块300毫米晶圆上(而非封装)中实现硅晶体管与氮化镓(GaN)晶体管的大规模单片3D集成。
格隆汇12月11日|据澎湃,12月9日,英特尔在IEDM2023(2023IEEE国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。 英特尔表示,其将继续推进摩尔定律的研究进展,包括背面供电和直接背面触点(direct backside contacts)的3D堆叠...
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英特尔表示,其将继续推进摩尔定律的研究进展,包括背面供电和直接背面触点(direct backside contacts)的3D堆叠CMOS晶体管,背面供电研发突破的扩展路径(如背面触点),并在同一块300毫米晶圆上(而非封装)中实现硅晶体管与氮化镓(GaN)晶体管的大规模单片3D集成。...阅读全文 清华团队...
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈: 英特尔正致力于推动摩尔定律,计划在2030年前在单个封装内集成1万亿个晶体管。关键技术包括PowerVia背面供电技术、玻璃基板和Foveros Direct技术。这些技...
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈 四大权益礼包,开户即送 格隆汇12月11日|据澎湃,12月9日,英特尔在IEDM2023(2023IEEE国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈 随着背面供电技术的完善和新型2D通道材料的采用,英特尔正致力于继续推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管. .包括PowerVia背面供电技...