PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition)是等离子增强化学气相淀积,该技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉光放电(或另加发热体)使样品…
PECVD的基本过程包括以下几个步骤: 1.底部加热:加热基片使其表面温度达到沉积材料的沉积温度; 2.等离子体的生成:在加热的条件下通过电场施加使气体分子在“电晕放电”作用下形成等离子体; 3.活性物种的形成:等离子体中的高能粒子可以使气体分子发生裂解,形成活性物种; 4....
本发明提供一种用来涂覆大的三维基体的等离子体增强的化学气相淀积装置.该装置包括长的金属阴极棒,每根棒在它一端有一小口与工艺过程气体源连通,该小口基本上延伸至棒的整个长度,在棒内形成基本上是圆柱形的内膛,内膛通过棒上一系列小孔与棒的外部连通,小孔的直径显著地小于内膛的直径,使得在淀积过程中气体压力在...
等离子体增强化学气相淀积plasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD) 利用微波、射频或高频、直流电源,在特定条件下激发气体生成等离子体(该气体也称气态前驱物, 它在电磁场的作用下发生离子化)形成激发态的活性基团,活性基团扩散到基片表面并在一定温度下发
1． 设备名称： 等离子体增强化学气相淀积台 型号： TRION 序号： ORION Ⅲ PECVD 图1.2． 设备功能 PECVD 是一种高频辉光放电物理过程和化学反应物相结合的技术。此设备在 100～400℃下淀积SiO x 、SiN x 、SiO x N y 、ɑ-Si 、SiC x 高低应力SiN x 薄膜。反应气体 主要是元素的氢化物。洁净等级...
内容提示: 中华人民共和国电子行业标准FL 6190 SJ 21200-2016平板式等离子体增强化学气相淀积设备通用规范General specification for flat plasma enhanced chemical vapor depositionequipment2016-12-14 发布 2017-03-01 实施国家国防科技工业局 发布 文档格式:PDF | 页数:18 | 浏览次数:21 | 上传日期:2018-12-06 ...
SJ/T 11829.1-2022晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备 第1部分:管式PECVD设备发布用户: 发布时间:2024-10-08 文件类别:正版文档文件格式:PDF 文件大小:0.00MB下载正版规范标准文档 下载所需积分:0 资料描述: SJ/T 11829.1-2022晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备 第1部分:管...
标准号:SJ/T 11829.2-2022 标准名称:晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备 第2部分:板式 PECVD 设备 下载 声明:资源收集自网络分享,所提供的电子版文档仅供学习参考,如侵犯您的权益,请联系我们处理。 翻页:SJ/T 11862-2022锂电池术语
百度试题 题目 PECVD 的含义是 A.低压化学气相淀积B.常压化学气相淀积C.等离子体增强化学气相淀积D.光化学气相淀积 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
等离子体增强化学气相淀积 1. In the experiment herein,both SiO2 thin films and Si3N4 thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on p-type silicon(111) substrate. 利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、...