低维结构中红外激光器器件技术锑化物人工智能量子信息半导体材料体系的迭代更新一直紧密关联着高新技术的发展.第一代半导体材料主要为硅(Si)与锗(Ge),第二代半导体材料主要为砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP),第三代半导体材料主要为碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN).随着前三代半导体材料及由其制备的典型器件相继得到广泛应用,...
研究团队从经典半导体能带理论出发,创新提出了锑化物数字合金短周期超晶格势垒结构,发展出分子束外延技术并实现锑化物低维材料原子级高精度可控高重复性外延生长,攻克了锑化物多元复杂化合物系列激光器的制备工艺难题,成功研制了多款高性能锑化物红外半导体激光器,其波长能够覆盖2~4微米波段,技术水平处于国际一流梯队。
发展出分子束外延技术并实现锑化物低维材料原子级高精度可控高重复性外延生长,攻克了锑化物多元复杂化合物系列激光器的制备工艺难题,成功研制了多款高性能锑化物红外半导体激光器,其波长能够覆盖2~4微米波段,技术水平处于国际一流梯队。
发展出分子束外延技术并实现锑化物低维材料原子级高精度可控高重复性外延生长,攻克了锑化物多元复杂化合物系列激光器的制备工艺难题,成功研制了多款高性能锑化物红外半导体激光器,其波长能够覆盖2~4微米波段,技术水平处于国际一流梯队。