碳基CMOS集成电路技术_发展现状与未来挑战 摘要:碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为后摩尔时代最理想的半导体材料. 目前碳基电子学已经取得很大进展, 例如可以在4寸晶圆上得到高半导体纯度(超过99.9999%)的密排(100~200 CNTs/μm)阵列碳纳米管, 晶体管栅长可以缩至5 nm且具备超越硅基的...
CMOS)技术为核心的集成电路也一直按照摩尔定律每隔18个月集成度翻倍且成本降低一半发展. 但是随着技术节点的不断缩减, 硅基集成电路已渐近物理和工程的极限. 为了延续摩尔定律, 推动集成电路的持续发展, 人们开始寻求新的材料作为突破口, 其中碳纳米管(Carbon nanotube...