9.1.8共发射极电流增益:温度特性 9.1.7集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应 9.1.6基区中的大电流效应:Rittner效应 9.1.5集电区中的大电流效应:饱和和准饱和 9.1.4电流-电压关系 9.1.3端电流 9.1.2增益参数 9.1.1内部电流 9.1双极结型晶体管(BJT) 第10章功率器件的优化和比较 10.3 器件性能比较 ...
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 6.1.2n型区的离子注入6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》第6章 ...
第2章 碳化硅的物理性质10 第3章 碳化硅晶体生长36 第4章 碳化硅外延生长70 第5章 碳化硅的缺陷及表征技术117 第6章 碳化硅器件工艺177 第7章 单极型和双极型功率二极管262 第8章 单极型功率开关器件286 第9章 双极型功率开关器件336 第10章 功率器件的优化和比较398 第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用425...
《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍,其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷,器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念,单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件,以及碳化硅器件的系统应用,...
> 电子与通信 > 半导体技术 > 机械工业出版社(CMP) > 官网 碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用 碳化硅材料器件工艺器件和应用书籍 晶体外延生长电学光学性能原理研究 机械工业出版社官方旗舰店 官网 碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用 碳化硅材料器件... ...
9.2.3开关特性9.2绝缘栅双极型晶体管(IGBT)第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILINX
图书 > 电子与通信 > 半导体技术 > 机工出版 > 碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用 自营 机械工业出版社京东自营官方旗舰店 [日]木本恒暢(Tsunenobu Kimoto)[美] 詹姆士 A. 库珀(Ja著,夏经华译 京东价 ￥ 促销 展开促销
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 6.1.2n型区的离子注入6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》第6章 ...
6.2.1反应性离子刻蚀6.2刻蚀第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征