1、国家标准 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法(预审稿)编制说明1、 工作简况1、 立项目的和意义硅片是半导体制造业的基础材料,由于硅片表面极其少量的金属污染都有可能导致器件功能失效或可靠性变差,硅片在制作使用过程中的金属杂质控制极为重要,硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段,...
《GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》是一项国家标准,主要规定了使用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定硅片表面金属元素含量的方法。该标准适用于单晶硅、多晶硅及其它类型的硅材料表面微量至痕量级金属污染元素的分析。
硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法doi:GB/T 39145-2020本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法全国半导体设备和材料标准化技术委员会骆红潘文宾赵而敬孙燕张海英徐新华温子瑛胡金枝李素青马林宝李俊需
I GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感藕合等离子体质谱法 1 范围 本标准规定了电感藕合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属锅、臻、铝、饵、钙、错、锤、铁、钻、镇、铜、镑元 素含量的测定,测定范围为 108 cm-~ 1013 cm-'。
中文名称:硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 英文名称:中国标准分类(CCS): H17 国际标准分类(ICS): 77.040 发布日期: 2020-10-11 实施日期: 2021-09-01 页数: 9 标准状态: 现行 标引依据: f4ec41db14a54361b1c778df94b4b8e6, 点击数: 0 更新日期: 2021-08-04 适用范围: 打印本页...
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GB/T 39145规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 GB/T 39145适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
1范围 GB/T 39145规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 GB/T 39145适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。注:硅片表面的金属元素含量...
GB/T 39145规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 GB/T 39145适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。