包括:呈预设间距排布的若干条状的第一结构;位于第一结构上的金属硅化物阻挡层,金属硅化物阻挡层呈矩形状、且金属硅化物阻挡层长边的沿向与第一结构相垂直,沿长边的金属硅化物阻挡层完全覆盖若干第一结构,沿短边的金属硅化物阻挡层位于第一结构内;位于第一结构上的第一链条接触孔和第二链条接触孔,第一链条接触孔和第二链条接
摘要: 本发明公开了一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法,先利用CVD的方法生长第一层二氧化硅,再利用HDP的方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅.本发明可解决自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题,并有效克服针孔现象,达到降低漏电流的目的....
本发明涉及一种形成硅化物阻挡层的方法,应用于具有一硅衬底、栅极和栅极侧壁的晶体管器件。包括如下步骤:进行离子注入工艺,在衬底内部形成有源区;制备二氧化硅薄膜覆盖于衬底、栅极和栅极侧壁中暴露的部分;制备第一氮化硅薄膜覆盖于二氧化硅薄膜的表面;对晶体管器件采用高温热退火工艺;制备第二氮化硅膜覆盖于第一氮化...
位于第一结构上的第一链条接触孔和第二链条接触孔,第一链条接触孔和第二链条接触孔分别位于沿短边的金属硅化物阻挡层两侧;通过设置金属硅化物阻挡层与第一链条接触孔间的距离小于预设距离,且金属硅化物阻挡层与第二链条接触孔间的距离大于等于预设距离,实现对金属硅化物阻挡层和第一链条接触孔的间距偏移进行检测...
金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响 黄庆丰 摘要:在 0.18μm 通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于 OTP 的尺寸非常小,为了使 OTP 拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18μm...
F5金属含硅部件组件扩散阻挡层辣椒树脂废-渣果胶辣椒生物农金的详细信息 品牌厂家:其他 产品名称:表活剂 纯度级别:实验试剂LR 产品性状:液态 化学式:遥 相对分子质量:4 产地:在 用途:sffsfsf 有效成分含量:99% 执行质量标准:的 安全性及措施:f 产品颜色:磊 ...
低压化学气相沉积LPCVD(Low Pressure CVD)工艺已用在沉积氧化硅、氮化硅以及多晶硅上。大部分的多晶硅与非晶硅都采用LPCVD反应器。氮化硅主要作为LOCOS工艺中的抗氧化遮蔽层和STI工艺中的CMP研磨停止层,而氮化硅主要采用LPCVD过程生长。LPCVD常用来沉积氮化硅作为扩散阻挡层,以阻挡掺杂氧化物内的掺杂物原子扩散穿过薄的栅...
此外,溅射设备的多腔室设计可在沉积前进行原位清洗,通过离子刻蚀去除硅片表面氧化层和污染物,从而提高薄膜附着力。其台阶覆盖性能也为金属阻挡层等复杂结构提供了可靠解决方案。这种技术自诞生以来不断迭代,既保留了物理沉积的纯粹性,又通过工程优化拓展了应用边界。从早期的科学实验到现代半导体制造,溅射始终以高效、...
近日,广州增芯科技有限公司在科技创新领域迈出了重要一步。根据金融界2024年12月12日的消息,国家知识产权局正式公告了一项名为“金属硅化物阻挡层与接触孔的测试结构及多组测试结构”的专利,授权公告号为CN222126519U。这项专利的申请日期为2024年7月,标志着增芯科技在金属硅化物领域的持续突破。
金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,广州增芯科技有限公司取得一项名为“金属硅化物阻挡层与接触孔的测试结构及多组测试结构”的专利,授权公告号CN 222126519 U ,申请日期为2024年7月 。 专利摘要显示,本实用新型提供了金属硅化物阻挡层与接触孔的测试结构及多组测试结构,包括:呈预设间距排布的若干...