制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在外 延层屮扩散硼、磷而成的。(1)设n型硅单晶衬底是掺佛的,僦的电离能为0. 039eV, 300K时的Ef位于 导带下面0. 026eV处,计算锐的浓度和导带中电子浓度。(2)设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4. 6xl015cmt计算300K时兔的 位置及电...
百度试题 题目硅胶管消毒灭菌,不宜使用: A. 煮沸灭菌 B. 环氧乙烷 C. 乙醇浸泡 D. 高压蒸汽灭菌 E. 电离辐射灭菌 相关知识点: 试题来源: 解析 A.煮沸灭菌 反馈 收藏
碳纳米管可以制成透明导电的薄膜,其结构类似于石墨晶体,则多层碳纳米管的层与层之间靠 ___ 结合在一起。四卤化硅 (SiX 4 ) 均是无机化工品,其沸点按 F 、 Cl 、 Br 、 I 依次升高的原因是 ___ ( 3 )在 EDTA 中,碳原子的杂化方式有 ___ 、 ___ 。组成 EDTA 的四种元素中第一电离能最...
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300K时的EF位于导带下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
[题目]根据下列实验操作和现象得出的结论正确的是( )选项实验操作实验现象结论A甲烷与在光照下反应产物能使湿润的蓝色石蕊试纸变红氯代烷在水中电离出B向填有硫酸处理的硅胶导管中吹入乙醇蒸气固体由橙色变为绿色乙醇具有氧化性C向溶液中缓慢通入气体产生黑色沉淀硫酸的酸性
(2)上述物质用途十分广泛,如镁铝合金可用于火箭、飞机、轮船等制造业,钾钠合金是原子反应堆的导热剂,水晶可以做装饰品,明矾可用作净水剂,明矾溶于水的电离方程式为___.(3)取一小块镁铝合金,加入到氢氧化钠溶液中,发生反应的离子方程式为___.(4)用普通硅石与焦炭反应,制备粗硅的化学方程式为___.(5)取0.84...
关于非晶硅影像探测器的描述,正确的是( ) A. 由光电二极管和场效应管组成 B. 不需要荧光屏 C. 图像的最大尺寸通常比荧光屏系统要小 D. 与电离室影像系统相比图像的分辨率更差但对比度比更好 E. 与电离室影像系统相比图像的分辨率更高但对比度比更差 ...
()选项实验操作实验现象解释或结论工业上用 SiO_2 与焦炭在高温条件制备A生成可燃性气体,得到粗硅非金属性:CSi黑色固体粗硅常温下,用pH计分别滴定等体积1mol同温下,不同浓度的BL-1CH3COONH4溶液和0.1 mol测得pH都等于7CH3COONH4溶液中L-1CH3COONH4溶液的pH水的电离程度相同向两支试管中各加入4mL0....
雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後(在硅材料中一般为100-200 V),利用电离碰撞(雪崩
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在 外延层中扩散硼、磷而成的。(1)设n型硅单晶衬底是掺伊的,锤的电离能为0. 039eV, 300K时的Ef位 于导带下面0. 026eV处,计算鱗的浓度和导带中电子浓度。(2)设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4. 6xl015cm-3,计算300K时EF的位置...