CVD(化学蒸气淀积)工艺作为一种涂覆方法在现有技术中已知很久了。该工艺主要用于生产功能性材料,例如光波导、绝缘体、半导体、导体条和硬材料层。 化学蒸气淀积法是薄膜技术中最重要的工艺。在该工艺中,传送到气相中的分子前体在反应器的热表面反应,形成粘附涂层。由金属有机化学蒸气淀积法(MOCVD)演变来的气相法在许...
如果CVD 的淀积速率由表面反应控制,那么要得到均匀的膜厚,最好的办法是 保持各处温度恒定 。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提
可选地,在阵列区和支持区中的淀积层可以由牺牲薄多晶硅层制成。然后,去除支持区中的牺牲薄多晶硅层,以只在支持区中生长栅极氧化物,接着进行上述方法步骤。 根据本发明,提供一种用于形成集成电路器件的方法,该集成电路器件包括至少一个半导体存储器阵列区和包括支持区的逻辑电路,该方法包括以下步骤。在设置有字线的...
晶须作为小“体(bulk)”半导体线工作,由此提供与由标准光刻半导体处理技术形成的线相同的功能。然而,本发明中所述的纳米线显示基本不同于形成它们的体材料的电子和光学性能,并且在特性上也不同于“晶须”。 根据本发明的纳米线异质结构包括如下结构两个或多个基本上是单晶的材料按照以新的和专用方式利用量子限制效应...
甲、乙、丙、丁四种易溶于水的物质,分别由NH、Ba2+、Mg2+、H+、OH-、Cl-、HCO、SO中的不同阳离子和阴离子各一种组成。已知:①将甲溶液分别与其他三种物质的溶液混合,均有白色沉淀生成;②0.1 mol·L-1乙溶液中c(H+)>0.1 mol·L-1;③向丙溶液中滴入AgNO3溶液,有不溶于稀HNO3的