节浅沟槽隔离(STI)的背景...……巧:6第三节浅沟槽隔离(ST工)概况...…….…….……···……4···……巧...……第二章干法刻蚀工艺介绍·…...……….….…0..……第一节干法刻蚀的目的和方法·.…...………第二节干法刻蚀的特点二第三节干法刻蚀的机理二...……...……...……二...
STI 刻蚀工艺简介 17第一节 浅沟槽隔离技术(STI )在半导体器件中的作用 第二节浅沟槽隔离技术(STI )形成工艺及步骤 第三节本实验浅沟槽隔离技术(sTI )结构要求 第四章STI 刻蚀工艺条件开发过程 第一节反应原理及方程式 第二节实验原料和设备 第三节原始工艺条件 第四节基础数据的采集 第五节实验结果的改善...
浅沟槽隔离技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,可以减少电极间的漏电流和承受更大的击穿电压。目前己经成为0.25um以下集成电路的生产过程中的标准器件隔离技术。 浅沟槽隔离工艺首先利用各向异性的干法刻蚀工艺在隔离区刻蚀出深度较浅的...
浅沟槽隔离(STI)刻蚀工艺条件优化论文 已! 岸旨 J . 「刁 甚大规模集成 电路 集成设 计和 制造集成 电路 所需 的快 速技术变化 ,导致了 新设备和新工艺 的不 断 引入 。每隔 18 到 24 个月 ,半导体产业将 引入 新 的制 造技 术 。用户 需要 更快 ,更可靠和成本更低 的芯 片 。要达 到这 ...
集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用,传统的局部氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的问题,需要用浅沟隔离技术所取代。硅集成电路进入深亚微米时代后,尺寸越来越小,目前已达到0.022微米,浅沟槽隔离(STI)技术的作用显得更加重要,硅集成...