恰当的剂量能促进晶粒的健康成长,进而提升材料整体性能;而过量则会导致杂质聚集,使晶粒尺寸缩小,影响材料品质。因此,在退火处理时,务必精准把控注入剂量,以确保材料获得最佳的力学性能。
此表明大剂量Al注入对GaN的晶体结构造成严重的损伤,以致本征发光消失。经1014cm-2剂量Al注入后的样品,在N2气氛中退火处理后,2.2eV缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且,经常规退火处理后,此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好(其积分光强高3倍)。相似的结果亦显示于1015cm-2 浓度的Al 注入的样品。2.2...