【摘要】氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构,再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比,总结结构不同决定的部分特性。此外,对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述,加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结...
在硅片的加工工艺中,根据所加工产品系列的不同,硅片按各自的要求放入对应的药液槽中以喷雾方式清洗(根据加工产品的不同,可能的用到的清洗剂包括:丙酮,异丙醇,去胶液)进行表面化学清洗,再送入水洗槽,将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。 在清洗的工艺环节,产生高浓度有机废液(异丙醇、丙酮、去胶液的废...
GaN功率器件通过GaN化合物半导体外延及异质结构，打造出高电子迁移率二维电子气（2DEG）通道。相较之下，硅LDMOS则依赖硅外延层上的掺杂技术来构建P-N结。综上所述，尽管两种技术均采用横向结构和场板设计来改善电场分布，但GaN功率器件通过化合物半导体外延和异质结构来形成高电子迁移率通道，而硅LDMOS则通过硅外延层...
氮化镓功率器件的工艺技术对其性能的提升起着至关重要的作用。 首先,氮化镓功率器件的制备过程包括外延生长、晶圆切割、制备电极、沉积介质和后处理等步骤。外延生长是制备氮化镓薄膜的关键步骤,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,通过在蓝宝石衬底上沉积氮化镓材料,使其在高温条件下生长出均匀、晶型良好的氮化镓薄膜。
半导体产业网获悉:5月18日,上海新微半导体有限公司(简称“新微半导体”)宣布,基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)6吋/150mm晶圆的40V增强型(p-GaN)功率器件工艺平台开发完成,正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的无金工艺和集成电路互联,支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP),相比传统的硅基功率芯片,具...
对于硅基氮化镓器件,CMP可用于平滑金属层或去除钨塞工艺后多余的金属,从而保证器件性能和可靠性。 在GaN器件的制造流程中,CMP还可以用来准备晶圆表面,以便进行后续的金属化和封装步骤。由于氮化镓的高硬度特性,CMP过程在GaN器件制造中尤为重要,以确保高精度和平整度,这对于实现高性能的功率器件至关重要。
2023年5月18日,上海新微半导体有限公司(简称“新微半导体”或“公司”)宣布,基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)6吋/150mm晶圆的40V增强型(p-GaN)功率器件工艺平台开发完成,正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的无金工艺和集成电路互联,支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP),相比传统的硅基功率芯片,具...
白光干涉仪在氮化镓(GaN)功率器件衬底工艺管控 行业背景：氮化镓(GaN)功率器件是非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路，在5G通讯、航天、国防等领域有极其广泛的应用。随着功率密度的增加，芯片热积累增加，导致其各项性能指标迅速下降，使其大功率优势未能充分发挥。散热问题成为制约 GaN 基功率器件进一步发展...
氮化镓功率器件塑封工艺技术研究环氧树脂模塑料epoxymoldingcompoundemc是一种热固性材料由环氧树脂固化剂固化促进剂填料以及其他改性成分共同组成在塑封封装材料中应用最广泛具有绝缘性良好耐腐蚀性强粘接强度高以及力学性能良好等优点 氮化镓功率器件塑封工艺技术研究 近年来,半导体技术发展迅速,集成电路产业规模不断扩大。5G ...
氮化镓(GaN)是一种重要的半导体材料,用于制造高功率、高频率的电子器件。一种综合利用炼锌矿渣[主要含铁酸镓、铁酸锌、]制备GaN的工艺流程如图所示:已知:①Ga与Al同