从 2009 年开始 SiGe 工艺逐渐代替 GaAs 工艺，毫米波雷达前端射频芯片的集成度大幅提升，一个 毫米波雷达只需要 2-5 颗 MMICs、1-2 颗 BBICs，毫米波雷达整个系统成本降低 50%，其 中前端射频芯片 MMIC 占总成本比重从 40%下降至 36%。
从 2009 年开始 SiGe 工艺逐渐代替 GaAs 工艺,毫米波雷达前端射频芯片的集成度大幅提升,一个 毫米波雷达只需要 2-5 颗 MMICs、1-2 颗 BBICs,毫米波雷达整个系统成本降低 50%,其 中前端射频芯片 MMIC 占总成本比重从 40%下降至 36%。
从 2009 年开始 SiGe 工艺逐渐代替 GaAs 工艺,毫米波雷达前端射频芯片的集成度大幅提升,一个 毫米波雷达只需要 2-5 颗 MMICs、1-2 颗 BBICs,毫米波雷达整个系统成本降低 50%,其 中前端射频芯片 MMIC 占总成本比重从 40%下降至 36%。
从 2009 年开始 SiGe 工艺逐渐代替 GaAs 工艺,毫米波雷达前端射频芯片的集成度大幅提升,一个 毫米波雷达只需要 2-5 颗 MMICs、1-2 颗 BBICs,毫米波雷达整个系统成本降低 50%,其 中前端射频芯片 MMIC 占总成本比重从 40%下降至 36%。
1.3 降本次因:77GHz 全面替代 24GHz 77GHz 毫米波雷达必然将完全取代 24GHz 毫米波雷达,一方面是因为性能上: 77GHz 毫米波雷达的波长比 24GHz 更小,并且可用带宽比 24GHz 更大,从原理上来讲 就可以实现更好的性能。A.波长差异:77GHz 毫米波波长是 3.9mm,24GHz 毫米波波长 大约 12.5mm。B.可用带宽差异...