第三阶段：2022 年 Hi-stacking 技术量产，实现晶圆和 die 堆叠整合。沈亮指出，第一阶段的 Hybrid Bonding, 越来越多地被客户青睐，用于“存算一体”类人工智能产品。同时在新兴的 d-TOF 上亦将发挥重要作用，由于器件利用直接飞行时间测距，计算量要求比传统 CIS 高，必须采用 Hybrid Bonding 连接方能达到更好的...
第一阶段:2020 年Hybrid Bonding技术,实现两片晶圆堆叠的非存储类产品量产。 第二阶段:2021 年M-stacking技术量产,实现三层及以上的多片晶圆堆叠。 第三阶段:2022 年Hi-stacking技术量产,实现晶圆和 die 堆叠整合。 沈亮指出,第一阶段的 Hybrid Bonding, 越来越多地被客户青睐,用于“存算一体”类人工智能产品。同...
武汉新芯的3DLink™技术，作为业界领先的三维集成技术平台，通过纳米级互连技术，实现了多片晶圆或晶圆与芯片在垂直方向的直接连接。这一平台涵盖了S-stacking®、M-stacking®以及Hi-stacking™等多项技术，分别适用于传感器、高速运算及存算一体等不同产品。经过多年的研发与量产积累，武汉新芯已建立起稳定可靠...
、多片晶圆堆叠技术M-stacking?和异质集成技术Hi-stacking?等技术类别。其中S-stacking?主要应用于传感器(如CIS, ToF)、高速运算及存算一体等产品,M-stacking?主要应用于高带宽存储器等产品。经过多年的技术研发和量产,武汉新芯已搭建起稳定可靠的晶圆级三维堆叠工艺平台,同时开始开发针对不同芯片尺寸或不同基底材质...
该平台包括两片晶圆堆叠技术S-stacking®、多片晶圆堆叠技术M-stacking®和异质集成技术Hi-stacking®等技术类别。武汉新芯3DLink™技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗等优势,为传感器、存算一体、高速运算和高带宽存储器等芯片系统提供强大的...
商标名称:HI-STACKING HISTACKING 注册号:41043670 商标类型:第40类-材料加工 商标有效时间:-至 - 商标流程状态:- 商标名称:M-STACKING MSTACKING 注册号:41043716 商标类型:第42类-网站服务 商标有效时间:-至 - 商标流程状态:- 商标名称:S-STACKING SSTACKING 注册号:41043712 商标类型:第40类-材料加工 商标有...
该平台包括两片晶圆堆叠技术S-stacking®、多片晶圆堆叠技术M-stacking®和异质集成技术Hi-stacking®等技术类别。武汉新芯3DLink™技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗等优势,为传感器、存算一体、高速运算和高带宽存储器等芯片系统提供强大的...
该平台包括两片晶圆堆叠技术S-stacking®、多片晶圆堆叠技术M-stacking®和异质集成技术Hi-stacking®等技术类别。武汉新芯3DLink™技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗等优势,为传感器、存算一体、高速运算和高带宽存储器等芯片系统提供强大的...
和异质集成技术Hi-stacking?等技术类别。武汉新芯3DLink?技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗等优势,为传感器、存算一体、高速运算和高带宽存储器等芯片系统提供强大的全套解决方案。 武汉新芯数模混合工艺平台能实现混合信号、射频、嵌入式闪存等灵活...
该平台包括两片晶圆堆叠技术S-stacking®、多片晶圆堆叠技术M-stacking®和异质集成技术Hi-stacking®等技术类别。武汉新芯3DLink™技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗等优势,为传感器、存算一体、高速运算和高带宽存储器等芯片系统提供强大的...