金属薄膜电阻是将金属薄膜沉积在绝缘基片上制成的电阻,具有较高的精度和稳定性。金属氧化物膜电阻是将金属氧化物薄膜沉积在绝缘基片上制成的电阻,具有较好的温度稳定性和长期稳定性。精密电阻网络是将多个电阻器连接在一起形成的网络,可以实现更高的精度和稳定性。 最后,高精度电阻在模拟IC中的应用非常广泛,例如在...
实际上，它需要以更高的精度弥合理论预测与实际性能之间的差距，同时应对更多的定制化需求以及一系列复杂的相互作用，而这些在流程早期并非都显而易见。对模拟技术的依赖日益增加 向更复杂模拟的转变提升了设计信心，但这不仅仅关乎实现绝对精度。完美固然重要，但优化同样关键，而这正是模拟技术真正开始发挥影响力的领域。
初步统计预估，2024年全球模拟芯片市场规模已进一步增长达到983亿美元，且从长期来看，随着人工智能、高性能运算、新能源汽车等领域需求增长，模拟芯片市场规模有望进一步扩大。模拟IC市场规模大，海外龙头历经数十年积累和多番行业相互并购，当前已经形成了相对稳定的行业格局，并且占据全球较高市场份额。在模拟芯片领域，美...
在AD620滤波器示例中,差分带宽约为400 Hz。 共模扼流圈提供简单的单器件EMI/RFI保护,可以替代无源RC滤波器,如图6所示。 图6:为简明起见,以及实现最低噪声EMI/RFI滤波操作,共模扼流圈适用于AD620系列仪表放大器 除了采用的元件数量较少以外,通过电阻的消除作用,基于扼流圈的滤波器还具有低噪声。但是,选择合适的共模...
验使用基于华大九天Aether全定制IC设计平台及其自带的0.18umPDK,实现 模拟集成电路全差分高增益放大器的全流程设计与仿真。 (1)性能指标: 需要验证三种PVTCorner: a)电源电压1.8V,温度27℃,corner为TT; b)电源电压1.6V,温度80℃,corner为SS; c)电源电压2.0V,温度-40℃,corner为FF; 要求各Corner下开环技术指标...
其实就是通过计算推导,把表达式中的IR消掉,这也体现了模拟IC的一个特点:“万物皆可算,巧力>蛮力”。由上式可看出,我们只要保证,IB是晶片内部产生的,或来自于基准源(IBG),则Req与输入无关。 所以具有I_{D}=\frac{I_{R}^{2}}{I_{B}}这种平方特性的电路(电流平方器)如何设计?文章给出了设计。
如何降低沟道长度调制效应? 短沟道器件会让沟道长度调制效应明显,采用长沟道器件可以降低沟道长度调制效应。 四、小信号模型 (1)信号相对于偏置工作点而言比较小,不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算 (2)由gm,gmb,ro等构成低频小信号模型,高频时还需加上Cgs 等寄生电容,寄生电阻(接触电阻,导电层电阻等) ...
衬底电位:衬底电压要保证源漏PN结反偏。 阈值电压Vth:表面电子浓度等于衬底多子浓度时的VG。 MOS的工作区: 1.截止区:0<Vgs<Vth 均匀的沟道电荷 2...
第二个电路中,T(℃)\uparrow→Is\uparrow→ IB\downarrow→ IC\downarrow 其他三极管的放大电路: 基本共集电路,射极输出: 电路特点:输入电阻大与外界电阻有关,输出电阻小,与信号源内阻有关;只放大电流,不放大电压;在一定条件下有电压跟随作用。 共集电路 ...
5)布线时,如果实在布不过去了,也可以加一个0欧的电阻。6)在高频信号下,充当电感或电容用(与外部电路特性有关),主要是解决EMC问题。如地与地,电源和IC Pin间。7)单点接地(指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开,各自成为独立系统。)8)熔丝作用9)跨接时用于电流回路...