eFuse IC(電子ヒューズ)では過剰な電流が流れると内部検出回路が動作し内蔵MOSをオフすることで従来のヒューズに対して高速の電流遮断機能を持っています。さらに一度の過電流では破壊されず、繰り返し使用可能です。過電圧保護など多彩な保護機能も内蔵できるメリットもあります。修理にかかる...
絶対最大定格(表-1)に記載されているエミッター・ベース間電圧 VEBOを超えた電圧(npnは負バイアス、pnpは正バイアス)を印加するとhFEなどの性能が劣化または破壊するおそれが有ります。絶対最大定格をこえる電圧を印加しないでください。
バススイッチタイプは、MOSFETをスイッチとして使用し、外付けプルアップ抵抗によって電圧のレベルシフトを行います。単なるスイッチなので電流駆動能力はありません。一方バッファータイプは、CMOS構造の回路から出力してレベルシフトします。そのため製品固有の駆動能力が
東芝デバイス&ストレージ株式会社(以下、当社)は、東芝グループ理念体系(https://www.global.toshiba/jp/outline/corporate/philosophy.html)と自ら定めた行動基準に基づき、社会に貢献し、すべてのお客様からの信頼を得るとともに、当社への期待に応えるべく事業活動
ロードロップアウトレギュレーター(LDO)や3端子レギュレーターに代表されるシリーズレギュレーターとシャントレギュレーターがあります。外付け部品が少なく安価で低ノイズ・高精度のローカル電源を手軽に作り出すことが可能です。
別ウインドウにて開きます サイトマップ セミコンダクタープロダクツ パワー半導体 MOSFET IGBT/IEGT アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR) パワーマネージメントIC インテリジェントパワーIC リニアーIC モータードライバー ダイオード バイポーラー...
e-ラーニング CMOSロジックIC 使用上の注意 汎用ロジックICのFAQページへ戻る 別ウインドウにて開きます サイトマップ このFAQページの情報はお役に立ちましたか? その理由もご選択ください。 当社ウェブ改善のための アンケートにご協力ください...
IGBTの初期段階より採用された構造でコレクター側のP層が厚く低電流領域の順方向電圧が大きい NPT型IGBT PT型に続き開発された構造で高破壊耐量を有し、インバーター用途などハードスイッチング応用で採用されている 薄PT型IGBT 薄ウエハー化により順方向とスイッチングのトレードオフが改善...
ノイズには一般的なノイズ(ディファレンシャルノイズ)と同相ノイズ(コモンモードノイズ)があります。差動アンプは2つの入力の差分を増幅するため、差動入力端子(非反転入力VIN(+)と反転入力VIN(-))に同じノイズが印加されるコモンモードノイズは簡単に減衰さ...
ランジスターカプラーの基本特性と応用設計 入力駆動フォトカプラーの基本特性と応用設計 イソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)のFAQページへ戻る ウインドウにて開きます イトマップ ミコンダクタープロダクツ ワー半導体 /IEGT イソレーター/ソリッドステートリ...