本发明属于集成电路制造领域,其公开了一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法,该方法主要包括两部分:通过对材料基底进行3氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)与氢碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面处理,实现含铅前体的有效附着,能够形成一层单分子层;通入有机铵盐前体与单层含铅前体反应形成单层材料,...
本发明属于集成电路制造领域,其公开了一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法,该方法主要包括两部分:通过对材料基底进行3‑氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)与氢碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面处理,实现含铅前体的有效附着,能够形成一层单分子层;通入有机铵盐前体与单层含铅前体反应形成单层材料...