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模拟CMOS集成电路设计 答案(拉扎维).pdf,模拟Cmos集成电路设计※Razavi※ 习题解答 22/9/06 CORRECTIONS TO SOLUTIONS MANUAL In the new edition, some chapter problems have been reordered and equations and figure refer- ences have changed. The solutions manual
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拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件) 热度: 拉扎维模拟CMOS集成电路设计_习题答案(第3章节) 热度: CORRECTIONSTOSOLUTIONSMANUAL Inthenewedition,somechapterproblemshavebeenreorderedandequationsandfigurerefer- enceshavechanged.Thesolutionsmanualisbasedontheprevieweditionandthereforemustbe ...
本文仅是对书中(《模拟CMOS集成电路设计》中文 第二版 拉扎维)的部分课后习题进行的个人解答(其实就是学习笔记),仅供参考,若有错误,请评论交流指正。 计算题常用系数 表2.1并没有明确给 Cox 的值,但给了 tox 的值,可以根据书P11给出的:当 tox≈20 Å =2nm 时, Cox≈17.25 fF/μm2=17.2510−15F10...
拉扎维模拟cmos集成电路设计作业答案详解完整.pptx,第1页/共38页2.1、W/L=50/0.5,假设|VDS|=3V,当|VGS|从0上升到3V时,画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线解:NMOS管: 假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电 当VGS0.7V时,NMOS管工作在截止区,则ID=0 当VGS0.7V时, NMO
2dc2X0S人Y0.1工厂仝宀5訂VbpbtostSola占an衣22a2mos纭二MJrU20S十ns;uatn為7S3ihPwsgIn耳j亿res二严Xi6265EN讥七GS工foraArtntheScturati工。Hi5TAeAA
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模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件 星级: 30 页 拉扎维模拟CMOS集成电路设计_习题答案(节)(荐) 星级: 37 页 CMOS模拟集成电路设计(拉扎维课件) 星级: 235 页 模拟CMOS集成电路设计拉扎维第10章(部分) 星级: 9 页 模拟cmos集成电路设计(拉扎维)——复旦大学...