使用0.7 V的偏置电压监测器件的电导状态。(c)430和730 nm光刺激下突触LTP和LTD行为随光强和持续时间(5、10、15、20和25 s)的变化。(d)突触的PPF和PPD行为。(e)PPF和PPD指数(A2/A1×100%)与脉冲间隔的关系。(f)突触权重与脉冲间隔的关系。(g)器件全光调制特性的阻变机制,包括(过程1)初始状态、(过程2)4...
近日,北京大学电子学院胡又凡课题组充分利用碳纳米管薄膜材料优异的电学性能和极薄的物理特性,通过衬底工艺优化,实现了厚度仅为125 nm的柔性聚酰亚胺薄膜衬底;通过引入氧化钇双栅结构,提升了器件的电学性能,具有8.96 μS μm-1的跨导和127 cm2 V-1 s-1的迁移率,并对双栅器件的各层材料厚度进行设计,优化了器件的机...
使用0.7 V的偏置电压监测器件的电导状态。(c)430和730 nm光刺激下突触LTP和LTD行为随光强和持续时间(5、10、15、20和25 s)的变化。(d)突触的PPF和PPD行为。(e)PPF和PPD指数(A2/A1×100%)与脉冲间隔的关系。(f)突触权重与脉冲间隔的关系。(g)器件全光调制特性的阻变机制,包括(过程1)初始状态、(过程2)4...
近日,北京大学电子学院胡又凡课题组充分利用碳纳米管薄膜材料优异的电学性能和极薄的物理特性,通过衬底工艺优化,实现了厚度仅为125 nm的柔性聚酰亚胺薄膜衬底;通过引入氧化钇双栅结构,提升了器件的电学性能,具有8.96 μS μm-1的跨导和127 cm2 V-1 s-1的迁移率,并对双栅器件的各层材料厚度进行设计,优化了器件的机...