相对湿法腐蚀而言,干法刻蚀的优势较明显,干法刻蚀具有各向异性,可以从根本上改善横向钻蚀等问题。 干法刻蚀分为三种,物理刻蚀、化学刻蚀和物理化学刻蚀。 下面是几种常用于工业制备的刻蚀技术,其中包括离子束刻蚀(Ion Beam Etching,IBE)、反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching,RIE)...
t=刻蚀所用的时间 为了高的产量,希望有高的刻蚀速率。 3刻蚀选择比指的是同一刻蚀条件下一种材料与另一种刻蚀材料相比刻蚀速率快多少。他定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。 干法刻蚀的选择比低,通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。 高选择比意味着只刻除想要刻去的那层。 4...
1)干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法,刻蚀气体在反应器中等离子化,与被刻蚀材料反应(或溅射),生成物是气态物质,从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀,晶片放在腐蚀液中(或喷淋),通过化学反应去除窗口薄膜,得到晶片表面的薄膜图形。 2)干法刻蚀与湿法刻蚀比较,优点: ○1保真度好,图形分辨率高; ○2湿法腐蚀难的薄...
湿法刻蚀只有各向同性。当晶圆接触到刻蚀溶液后,溶液在向下刻蚀的同时,还会产生侧蚀。侧蚀就会产生一个问题,就是对设定的线宽造成影响,即刻蚀偏差过大,因此湿法刻蚀很难精确控制刻蚀的形貌,一般来说,在小于2um尺寸的刻蚀中,湿法刻蚀并不太适用。 而干法刻蚀对于形貌的控制更精确,刻蚀的方法更灵活。干法刻蚀既可以实现...
干法刻蚀用物理和化学方法,可实现各向异性刻蚀,能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术,广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。 把硅片置于液体化学试剂,化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应,从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法,一般是各向同性刻蚀,不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本...
在纳米刻蚀工艺中,干法刻蚀和湿法刻蚀是两种主要的刻蚀方法,它们各自具有不同的特点,也适用于不同的应用场景。 首先,让我们来看看干法刻蚀。在干法刻蚀中,我们通常使用物理手段如离子刻蚀、反应离子刻蚀(RIE)、机械研磨等。这些方法的主要优点是刻蚀速度快,对材料的兼容性好,能够处理各种不同类型的材料。然而,这种...
首先,根据芯片产品的制程要求,如果只有干法刻蚀能胜任刻蚀任务,选干法;如果干湿法刻蚀都能胜任的,一般选湿法,因为湿法较经济;如果想精确控制线宽或刻垂直/锥形角度,则选干法。 当然还有一些特殊的结构是必须要用湿法刻蚀的。比如MEMS中刻硅的倒金字塔结构,则只能用湿法刻蚀来完成。
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)...
湿法刻蚀是在大气环境下,利用化学品溶液去除品圆表面的材料的工艺过程。湿法刻蚀主要利用溶液中的有效化学成份与目标材料之间的化学反应,生成可溶性产物而将目标材料去除。 由于缺乏有效的方向控制机理,湿法刻蚀大多数是各向同性的刻蚀,不能像干法刻蚀一样对刻蚀剖面进行精确控制,因此不能用于先进工艺中细微图形的转移。湿...