另外当门级电阻足够小时,米勒平台可能低于等效MOS在此条件下的阈值电压,那么MOS沟道在电流下降时已经关断,电流变化只由载流子抽取行为决定,由于载流子通道是有限的,器件的关断速度会固定在某个值不在变化,这个现象在某些Trench结构IGBT也会出现,但是由于材料的物理特性IGBT芯片内部总会存在栅极电阻,芯片也不可能将阈值电压...
百度试题 结果1 题目对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有( ) 相关知识点: 试题来源: 解析 电子和受主离子;受主离子和电子 反馈 收藏