1 多晶硅表面金属杂质含量的测定 酸浸取-电感耦合等离子质谱法编制说明 一、 工作简况 1 、 项目的必要性简述 由于多晶硅表面金属杂质含量是其技术指标中的重要指标之一,其含量严重制约多晶硅少数载流子寿命、光伏太阳能电池光电转换效率及电子器件性能,因此必须严格控制,为了探究控制多晶硅表面金属杂质含量分布和不同工序...
GBT 245822023多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取电感耦合等离子体质谱法最新解读目 录GBT 245822023新标准解读:多晶硅金属杂质测定的重要性酸浸取法在多晶硅金属杂质检测中的应用电感耦合等离子体质谱法技术原理详解多晶硅表面
GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法.pdf,ICS77.040 CCSH 17 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT24582 2023 代替 / — GBT24582 2009 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取 电感耦合等离子体质谱法 - Testmethodformeasurin surfacemet
1范围 1.1本文件规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表 面上的金属杂质含量的测定方法。 1.2本文件适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、镁、铝、钾、钙、铬、铁、镍、铜、 锌以及其他元素含量的测定方法。 1.3本文件适用于各种块、片状多晶表面金属污染物的...
多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法doi:20210891-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会
GB/T 24582-2023 《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》相关检测仪器推荐,GB/T 24582-2023《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》 需要用什么仪器,南北潮告诉你。
GB/T 24582-2023 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法,在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。 GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法的最新版本是哪一版? 最新版本是GB/T 24582-2023。
中文标准名称:多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法英文标准名称:Test method for surface metal impurity content of polycrystalline silicon —— Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method标准状态:正在起草标准类型:国标计划发布日期:1999/12/31 12:00:00实施日期:1999...
标准编号:GB/T 24582-2023 正式版 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法.pdf [下载地址1] [下载地址2] 提 取 码: 下载次数:3130 加入收藏下载帮助: 发表评论 加入收藏夹 错误报告详细目录 发表评论 共有0条评论 用户名: 密码: 验证码: 匿名发表...
该方法原理是多晶硅样品用硝酸、氢氟酸、水的混合液(1:1:10)浸取一定的时间,利用电感耦合等离子质谱仪(ICP/MS)测定浸取液中待分析金属元素的含量。 1.多晶硅块表面金属杂质浸取方案优化 原标准中要求将6块3cm×3cm×3cm样品放入PTFE瓶中,每个瓶中加入250mL浸取酸混合物(1:1:1:50)HNO3: HF: H2O2: H2O没过...