本发明属半导体集成电路工艺结构领域,是一种埋层阻挡式多孔硅氧化形成SOI结构的新工艺.主要步骤包括锑或砷扩散,在硅衬底上形成n型埋层阻挡层;P型外延;磷或砷离子注入,形成n型岛器件区;阳极化,使P型外延层转化为多孔硅;多孔硅氧化,形成SOI结构.本发明工艺简单,实施方便,获得的SOI结构平整,缺陷密度小,n型硅岛间...
首先采用注硅的方法改进 SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料,对硅注入在 SIMOX 材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.并对埋层结构与... 贺威,张正选,田浩,... - 中国功能材料及其应用学术会议 被引量: 0发表: 2007年 采用氧化多孔硅埋层的SOI工艺 在n/n~+/n结构的高浓度...
多孔硅氧化隔离 多孔硅氧化隔离（isolation by oxidized porous silicon）是1993年公布的电子学名词。公布时间 1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电子学名词》第一版。