1、表面沟道CCD的优点是电荷转移途径距离半导体-绝缘体分界面较近，工艺简单，动态范围大。缺点是信号电荷的转移受表面态的影响，转移速度和转移效率低，工作频率一般在10MHz以下。2、埋沟道CCD的优点是转移效率提高，工作频率可高达100MHz，且能做成大规模器件。缺点是相对于表面沟道CCD成本较高。
1、埋沟道晶体管器件(buried-channel mosfet)是向埋入式沟道区注入与衬底相反类型的掺杂离子而形成。由于埋沟道晶体管器件的结构、开启特性以及载流子在沟道中的运输过程等要比表面沟道器件复杂得多,因而埋沟道晶体管器件的制造工艺也与表面沟道器件存在较大的差别。当前工艺形成的埋沟道晶体管器件在开启时,表面更易反型...
西安市高陵区人民政府办公室回复:收到网上舆情调查函关于网民反映“高陵区耿镇街办马北村沟道被建筑垃圾填埋”问题后,我区立即安排城市管理和综合执法局、耿镇街办调查处理。现将有关情况回复如下: 经调查,该网民反映区域为耿镇街道马北村三组,该区域于2019年底至2020年初期间,严格按照规范进行土地复垦,不涉及村民补...
mái zhì gōu dào 埋置沟道 ReadWriteQuizChinese dictionary Show pinyin n.buried channel Hot words today 观look; sight 着急feel anxious 喜欢like; happy 开open; open out 通lead to; through 好good; friendly 我self; one 圣诞快乐Merry Christmas 下班knock off 祝你生日快乐happy birthday to you Ha...
@河北锦益建材有限公司综合管廊采用浅埋沟道方式 河北锦益建材有限公司 综合管廊,又称城市地下综合管廊或共同沟,是在城市地下建造的隧道空间,用于集中敷设电力、通信、广播电视、给水、排水、热力、燃气等市政管线,实行 “统一规划、统一建设、统一管理”1。 作用:避免道路因埋设或维修管线而重复开挖,减少对交通和居民...
摘要:本文以4H-SiC隐埋沟道MOSFET为研究对象,对其理论和实验研究进行了综述。首先介绍了4H-SiC材料的特点以及其在功率电子器件中的应用前景。随后,详细阐述了隐埋沟道MOSFET的工作原理和特点,并对其主要的性能参数进行了介绍。然后,分析了4H-SiC隐埋沟道MOSFET的结构和制备工艺,包括沟道氮掺杂和gate控制氧化层的生长。
沪江词库精选埋置沟道英文怎么写、英语单词怎么写、例句等信息 buried channel 相似短语 buried in vbl.埋头于,僻处 be buried in 埋头于,专心于,沉湎于 buried antenna 埋地天线,地下天线 buried cable 埋层电缆,埋地电缆,埋式电缆,地下电缆,直埋电缆 buried cage 深鼠笼 buried copper 槽内铜导线,槽...
在所述半导体基板中形成的掩埋沟道区,其中所述掩埋沟道区耦接到所述浮动扩散部并从所述浮动扩散部延伸,并且其中所述掩埋沟道区仅部分地与所述转移门重叠。 2.根据权利要求1所述的图像传感器像素,其中所述掩埋沟道区仅部分地在所述转移门的下方延伸,并且不延伸到所述光电探测器。 3.根据权利要求2所述的图像传...
在推导一个等效沟道厚度模型的 基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在ND+/NA- ≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该 表...
隐埋沟道1. The I-V characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an average mobility model is presented. 提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。2. The effects of several factors on mobility in 4H-SiC buried-channel (BC) MOSFETs are ...