1. 首先选择合适的放大器件:在高频应用中,常用的放大器件有双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。可以根据具体要求选择合适的放大器件。 2. 设计共集放大器(CE amplifier)作为每个放大级的基本结构,因为CE放大器具有较高的电压增益和输入阻抗。 3. 确定每个放大级的工作点:通过偏置电路来确定每个放大级的工作...
FinFET技术使阈值电压波动幅度减小70%,这对大规模集成电路的静态功耗管理至关重要。 栅全环绕结构将导电沟道完全包裹在栅极之中。通过全周向电场控制,亚阈值摆幅值可达60mV/dec的理想值。这种结构使28nm制程器件的关断电流降至0.1nA/μm量级,为移动设备的低功耗特性奠定了物理基础。
1、掌握场效应管的分类、特点、特性曲线及参数，了解其结构、工作原理。2、掌握场效应管放大电路的分析方法和指标计算。场效晶体管分类：FET场效晶体管 JFET结型 MOSFET(IGFET)绝缘栅型 N沟道（耗尽型）P沟道 增强型 N沟道P沟道 耗尽型 N沟道P沟道 第3章效晶体管及场效晶体管放大电路 3.1结型场效晶体管3....
STP12NK60Z ST/意法 TO-220 晶体管 FET MOSFET N沟道600V 0.53欧姆 意法品牌 深圳市美意佳电子有限公司 4年 查看详情 ￥7.60/个 广东深圳 DIODES 三极管 MMDT2907A-7-F 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -60V 200mW 深圳市东芯盛科技有限公司 4年 查看详情 ￥0.01/个 广东深圳 INFINEON/英飞...