该专利于2023年3月9日提出申请，申请号为CN20231022667，并由王伟伟、付辉、卢嘉玺、张洪博、蔡万宠和张子辰等多位杰出科学家共同研发。这一新突破标志着国产光刻机技术在7nm工艺领域取得了显著进展。本发明涉及一种极紫外辐射发生装置及光刻设备。该装置包含一个腔体，其中设有靶材发生器、激光发生器以及收集器镜。...
在集成电路生产装备目录下,氟化氪光刻机和氟化氩光刻机映入眼帘。其中,氟化氪光刻机分辨率≤110nm、套刻≤25nm;氟化氩光刻机分辨率≤65nm、套刻≤8nm。 文件公布后,国产光刻机研发进度再度走入公众视线,甚至有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。那么,“美国威胁”突破了吗? 其实套刻精度通常指的是“多重...
因此，光刻机不仅仅是一个单一的设备，而是一个庞大的技术和产业链体系的结晶。以阿斯麦为例，其光刻机制造需要数百家全球供应商的协作，集成了多种前沿科技。这种复杂性使得中国企业在突破光刻机技术上面临重重困难。中国国产光刻机的研发，除了需要攻克技术难题外，还必须解决产业链配套的问题。例如，光刻机中涉及...
通知中的“中国首台(套)重大技术装备”,是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。 本次列出的包括氟化氪(KrF)和氟化氩(ArF)光刻机。 氟化氪(KrF)和氟化氩(ArF)两种气体均服务于深紫外(DUV)光刻机。 目前来说,光刻机共经历了五代的发...
此外，光刻机所需材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化进程。南大光电已成功生产出7nm光刻胶，进一步提升了国产芯片产业链的自主可控能力。这一系列的技术突破和产业升级，不仅将解决芯片代工受限的问题，还将促进国产半导体行业的持续发展，为中国的军事和民用领域提供更加强劲的技术支撑。实现28纳米光刻机，将标志...
在光刻机的众多核心组件中，光源系统无疑占据着举足轻重的地位。光刻机的整体工艺水平，在很大程度上取决于其光源的波长。以第五代光刻机技术为例，其创新之处在于采用了波长仅为13.5纳米的极紫外光作为曝光光源，这一突破性技术使得光刻的精度和效率均得到了显著的提升。随着国产半导体设备的不断突破，国内晶圆...
综上所述，国产光刻机已实现重要突破，芯片自主化指日可待。在市场需求持续增长、产业链技术陆续突破、政策支持与投资增加等多重利好因素推动下，中国光刻机技术必将跻身世界领先行列。和达产业研究院，经过十余年的深耕细作，积累了丰富的实践经验和数据资源。在20多个园区的规划运营中，我们成功规划了超过200万平方...
南大光电：自主研发的ArF光刻胶成功通过客户认证，成为国内首款通过验证的国产ArF光刻胶，标志着在半导体领域的重要突破。彤程新材：作为国内唯一拥有荷兰ASML曝光机的光刻胶公司，集研发、生产、检测和销售于一体，拥有高档光刻胶的自主研发及生产能力。此外，还有一家备受瞩目的华为“光刻机”龙头，背靠中科院，实力...
光刻机最新进展 国产光刻机在技术上取得了令人瞩目的突破。据工业和信息化部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》显示，国产氟化氩光刻机已达到套刻≤8nm的先进水平，同时，其他关键技术指标也相当出色，如晶圆直径300mm、照明波长193nm以及分辨率≤65nm。这一重大进展标志着国产光刻机在...
在38nm以下的工艺中，则开始采用多重曝光技术。目前，第五代EUV型光刻机已登场，采用5nm的极紫外光源，专为7-3nm的工艺范围设计，采用步进扫描投影式结构。国产光刻机及其相关供应链公司概览：光刻机整机：上海电气：作为上海微电子的重要股东，涉足光刻机领域。奥普光电：实际控制人为长春光机所，该所专注于光刻...