SN500(TLC)和Intel 660P(QLC)两款SSD进行比较。在多项读写测试中,SN500在写入速度和稳定性方面表现更佳,而660P在读取QLC中表现较优,但在缓存耗尽后的写入速度大幅下降。此外,存储容量对QLC影响较大,较小容量的QLC SSD寿命明显降低。因此,用户需结合实际需求及预算作出合理选择。 本文通过对SLC、MLC、TLC和QLC的...
TLC和MLC是两种不同的硬盘粒,在正常条件下,MLC的使用寿命比TLC长,MLC在读写速度上比TLC硬盘快,而且TLC硬盘在长时间使用后会失去速度,但在正常家用中它们之间的差异并没有那么大,MLC在各方面都优于TLC硬盘,但同等容量的MLC硬盘在价格上要高于TLC硬盘,在选择固态硬盘时需要考虑用户的具体用途和预期预算,对于大多数...
QLC每个单元可储存4bit数据，跟TLC相比，QLC的储存密度提高了33%。QLC不仅能经受1000次编程或擦写循环，而且容量提升了，成本也更低。从速度、寿命以及价格来看，QLC都比TLC更低，但是QLC的价格优势远远低于研发的预期，消费者期待之中的4TB及以上超大容量 SSD普及，并没有出现。如果单从P/E 寿命来说，TLC都和MLC...
slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是: slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D...
使用QLC增加容量（以相同的价格）是最容易的，因为对于相同的存储量，它需要的单元数是SLC的1/4。更大并不总是更好 将多个位写入单个单元需要更多时间，这会影响SSD的耐用性。这意味着SLC实际上是最快同时也最可靠的，但它们要贵得多。大多数商用SSD为MLC，它在性能、可靠性和成本之间提供了更为科学的平衡。如...
SLC缓存是MLC、TLC或者QLC固态硬盘利用部分闪存空间模拟SLC的方式工作,以达到提速和延寿的效果。如果按照前文中的定义,SLC缓存的正确叫法应该是SLC缓冲。 为什么固态硬盘一定要有SLC缓冲? 我相信大多数人都认为这个问题的答案是:为了加速写入,尤其是顺序写入速度。其实这只是SLC缓冲的作用之一,毕竟固态硬盘用作移动硬盘的...
单层单元 - SLC多层单元 - MLC三层单元 - TLC四层单元 - QLC 单层单元(Single Level Cell,简称SLC) 单层单元闪存俗称SLC,这种类型的闪存在读写数据时具有最为精确,并且还具有持续最长的数据读写寿命的优点。 SLC擦写寿命约在9万到10万次之间。这种类型的闪存由于其使用寿命,准确性和综合性能,在企业市场上十分受...
QLC = Quad-Level Cell,即4bit/cell。 相对于SLC来说,MLC的容量大了100%,寿命缩短为SLC的1/10。相对于MLC来说,TLC的容量大了50%,寿命缩短为MLC的1/20。 NAND闪存技术:2D NAND和3D NAND 在上文中,我们介绍了根据闪存颗粒内部电子数的不同,会分为SLC/MLC/TLC,而随着晶圆物理极限的不断迫近,固态硬盘上单...
目前,SLC和MLC固态硬盘因其高昂的价格主要应用于军工和企业级工控设备。相比之下,消费级固态硬盘以TLC为主流,大容量固态硬盘则部分采用QLC技术。随着闪存和固态硬盘技术的不断进步,QLC固态硬盘的性价比有望逐步提升,未来或许能取代TLC成为新的主流。这就像TLC固态硬盘曾经从被忽视到受到广泛欢迎的发展历程一样。
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,也有Flash厂家叫8LC,最大特点就是速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。,通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。 目前,QLC = Quad-Level Cell架构以及出现,即4bit/cell,支持16充电...