在半导体制造的 55nm 制程工艺(55flow)中,许多步骤后都需要设置 Qtime(Queue Time,排队时间),目的是保证工艺稳定性、提升产品良率以及优化生产调度。以下是一些常见需要设置 Qtime 的步骤: 光刻相关步骤 光刻胶涂覆后:光刻胶涂覆在晶圆表面形成均匀的薄膜后,需要在一定时间内进行曝光工艺。如果排队时间过长,光刻...
Q-time技术指在生产环境中,核心工艺进行时间敏感性和时间同步的高速处理平台的开发和部署,从而能够在给定的处理能力限制条件下达到最佳性能水平。Q-time技术综合利用多CPU多核处理器、高端硬件、先进软件系统和多层数据管理应用,将不同时间段的处理进行协调,实现跨越性以及灵活性,不仅能有效改善计算效率、优化资源利用率...
追踪的等待时间。qtime的意思是一步一步到下一步跟踪的等待时间，它有最大时间或最小时间，半导管qtime的意思是半导管追踪的等待时间。
业界大多采用等待时间（Q-Time ）控制来避免关键工艺步骤在制造过程中因等候时间过长而受到洁净室环境的影响。栅氧层作为半导体器件重要组成部分，直接决定10 了晶体管的阈值电压、有效迁移率和器件的可靠性，进而影响MOS 大规模集成电路和超大规模集成电路的成品率。因此，栅氧工艺的Q-Time 控制在整个半导体工艺流程中...
半导体qtime的详细含义 半导体Q-time 半导体qtime 半导体qtime全称 半导体qtime和engtime 半导体qtime安全站点设定 半导体qtime聚类 半导体封测龙头企业 半导体芯片股票龙头前十名排名 半导体龙头一览表【今买明卖】●【金少超级完美】●捕捉牛股金妖利器【低吸高抛】●波段精品原创设计 [金钻指标-技术共享交流论坛] ...
半导体器件的形成方法及超出Q-time时的处理方法专利信息由爱企查专利频道提供,半导体器件的形成方法及超出Q-time时的处理方法说明:本发明揭示了一种半导体器件的形成方法。该方法包括:提供前端结构,所述前端结构具有暴露出来的铜金...专利查询请上爱企查
6.一种半导体器件超出Q-time时的处理方法,其特征在于,所述半导体器件具有暴露出来的铜金属线,所述铜金属线经过CMP处理后的等待时间超出一预设Q-time时,采用碱性溶液清洗所述半导体器件。 7.如权利要求6所述的半导体器件超出Q-time时的处理方法,其特征在于,所述碱性溶液的pH范围是7-10。 8.如权利要求7所述的半...
该方法包括:提供前端结构,所述前端结构具有暴露出来的铜金属线,所述铜金属线经过CMP处理;以及采用碱性溶液清洗所述前端结构,去除铜金属线上的铜离子.本发明还提出了一种对该半导体器件超出Qtime的处理方法.该方法包括:所述半导体器件具有暴露出来的铜金属线,所述铜金属线经过CMP处理后的等待时间超出一预设Qtime时,...
摘要: 半导体制造栅氧工艺的Q-Time研究及改善方案,倪立华,程秀兰,随着集成电路器件性能的不断提高和技术的飞速发展,对半导体制造工艺条件的要求也越来越严格.业界大多采用等待时间(Q-Time)控制关键词:栅极氧化层工艺 Q-Time控制 半导体制造 年份: 2014 收藏 引用 批量引用 报错 分享 ...
OTDROpticalTimeDomainReflectrometry--光学时域反射测量技术OTOHOntheotherhand--另一方面OTPOneTimeProgrammable--可一次编程1非易失性存储器只可编程一次,如EPROM2无窗的EPROM存储器不可擦,因此每个字节只可编程一次。OVAOrganicVapourAnalyzer--有机蒸汽分析机OVPOverVoltageProtection--过电压保护Oxidation--氧化是氧与...