半导体物理学(刘恩科)第七版_完整课后题答案 第一章习题1.设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量 E c (k)和价带极大值附近能量 E V (k)分别为:E c =02 2012 2021202 236) ( ,) (3 mk hmk hk Emk k hmk hV 0m 。试求: 为电子惯性质量, nm aak 314. 0,1 ...
8.利用题7所给的Nc和NV数值及Eg=0.67eV,求温度为300K和500K时,含施主浓度ND=51015cm-3,受主浓度NA=2109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少? 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3,,1018cm-3,1019cm-3的硅在室温下的费米能级,并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能级核对一下,上述假定是否在每一种情况下...
半导体物理学刘恩科习题答案权威修订版 热度: 完美WORD格式 实用文档 第一章习题. 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k) 和价带极大值附近能量E V (k)分别为:. E c =. . (1)禁带宽度;. (2)导带底电子有效质量;. (3)价带顶电子有效 ...
以下是半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第七章课后题的答案: 一、第一章课后题答案 1.第一题 题目:描述半导体的基本特性。 答案:半导体具有介于导体和绝缘体之间的电导率。在纯净的半导体中,其导电性受温度、光照等外界因素影响很大。例如,本征半导体在低温时接近绝缘体,随着温度升高,更多的电子获得足够能量从...
半导体物理学(刘恩科)第七版-完整课后题答案.pdf,. 第一章习题 1 .设晶格常数为 a的一维晶格,导带极小值附近能量E ()和价带极大值附近 c 能量E ()分别为:V 2 2 h2 k k 2 2 2 2 2 h k ( ) h k 1 3h k E = 1 , E (k ) c V 3m m 6m m 0 0 0 0 m k...
半导体物理学(刘恩科)第七版完整课后题答案) 热度: 第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec= (1)禁带宽度; (2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 ...
8.利用题7所给的Nc和NV数值及Eg=0.67eV,求温度为300K和500K时,含施主浓度ND=51015cm-3,受主浓度NA=2109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少? 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3,,1018cm-3,1019cm-3的硅在室温下的费米能级,并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能级核对一下,上述假定是否在每一种情况下...
半导体物理学(刘恩科)第六第七版第一章到第八章完整课后题答案.doc 热度: 半导体物理学(第七版完整课后答案 热度: 第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量 分别为: EV(k) hk EC(K)=3m0 22 h(k ...
22. 利用上题结果,计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离?导带中电子浓度为多少? 第四章习题与答案 1. 300K时,的本征电阻率为47,如电子和空穴迁移率分别为39002/( )和19002/( )。 试求 的载流子浓度。 解:在本征情况下, ,由知 2. 试计算本征在室温时的电导率,设电子和空穴迁移...
第一章习题aEck和价带极大值附EVk分别为:Ech2kh2 k k 21, h2k 3h 2k 2mVm0003m06mm000m0 a 0.314nm。试求:,a,1禁带宽度;导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;解:122k由3m0